LED和集成光耦合器MOSFET的柵驅動和反相器使用
發布時間:2020/12/27 21:32:45 訪問次數:796
M48Z32V ZEROPOWER®非易失性RAM存儲器(NVRAM)，此舉進一步擴充了該公司的NVRAM 產品家族。ST利用分立器件，使新產品不僅是一個高度集成的具有電池備用電源的普通NVRAM，而且還兼備電路實現的靈活性。新產品特別適合網絡路由器及交換機、服務器及存儲設備、電子游戲，以及其它任何一種小尺寸和/或低成本非常關鍵的應用。
在傳統上，具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標準化封裝，這種封裝在印制電路板上十分凸出，當元器件的高度受到限制時，會產生一些問題。
制造商:Power Integrations產品種類:電源管理模塊RoHS: 詳細信息產品:IGBT Drivers最大輸入電壓:15.5 V輸出電壓:-輸出電流:35 A最大工作溫度:+ 85 C商標:Power Integrations集電極—發射極最大電壓 VCEO:3.3 kV尺寸:197.1 mm x 43.94 mm x 12 mm下降時間:30 ns最小輸入電壓:14.5 V最小工作溫度:- 40 C輸出功率:2.2 W封裝:Bulk上升時間:9 ns系列:1SP0635
該器件有LED和集成光耦合器，采用BiCMOS工藝，以達到低功耗。指標包括有正向電流20mA,反向電壓5V，電源電壓為35V，工作溫度在0度到100度，絕緣電壓為3750Vrms。該器件滿足下一代設備的要求。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
M48Z32V ZEROPOWER®非易失性RAM存儲器(NVRAM)，此舉進一步擴充了該公司的NVRAM 產品家族。ST利用分立器件，使新產品不僅是一個高度集成的具有電池備用電源的普通NVRAM，而且還兼備電路實現的靈活性。新產品特別適合網絡路由器及交換機、服務器及存儲設備、電子游戲，以及其它任何一種小尺寸和/或低成本非常關鍵的應用。
在傳統上，具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標準化封裝，這種封裝在印制電路板上十分凸出，當元器件的高度受到限制時，會產生一些問題。
制造商:Power Integrations產品種類:電源管理模塊RoHS: 詳細信息產品:IGBT Drivers最大輸入電壓:15.5 V輸出電壓:-輸出電流:35 A最大工作溫度:+ 85 C商標:Power Integrations集電極—發射極最大電壓 VCEO:3.3 kV尺寸:197.1 mm x 43.94 mm x 12 mm下降時間:30 ns最小輸入電壓:14.5 V最小工作溫度:- 40 C輸出功率:2.2 W封裝:Bulk上升時間:9 ns系列:1SP0635
該器件有LED和集成光耦合器，采用BiCMOS工藝，以達到低功耗。指標包括有正向電流20mA,反向電壓5V，電源電壓為35V，工作溫度在0度到100度，絕緣電壓為3750Vrms。該器件滿足下一代設備的要求。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
