兩邊冷卻的SO-8 SMT封裝來控制頻率和幅度
發布時間:2020/12/31 8:57:09 訪問次數:294
Intersil的EL6229C是雙三通道(一個讀和兩個寫)激光驅動器,改善了兩種CD和DVD激光二極管的電流控制。每個通道有獨立的DVD或CD驅動器輸出使能引腳。這就簡化控制,和現有的單通道設計100%兼容。和Intersil新型EL622XC其它系列產品一樣,EL6229C改善波形保真度,增加輸出電流,降低功耗和噪音,使更高速度的CD-R/RW和DVD設計成為可能。
EL6229C有片上60MHz的振蕩器,用外接電阻(一端接地)來控制頻率和幅度。外接電阻使用戶能用電阻上的電壓準確和獨立地設定每個放大器的跨導而不管電壓的大小,保證了DAC寬電壓容量。
功能:
超寬帶頻率范圍:10 MHz至60 GHz
衰減范圍:2 dB步進至22 dB
低插入損耗
衰減精度
典型步進誤差
高輸入線性度
高RF輸入功率處理:
相對相位中的緊湊分布
無低頻雜散信號
并行模式控制,
CMOS和LVTTL兼容
RF幅度建立時間(0.1 dB最終RF輸出):175 ns
16引腳、
2.5 mm × 2.5 mm、
LGA封裝
應用:
工業掃描儀
測試和儀器儀表
蜂窩基礎設施:5G 毫米波
軍用無線電、雷達、
電子對抗(ECM)
微波無線電
甚小孔徑終端(VSAT)
產品描述:
ADRF5740
是一款硅、4位數字衰減器,
以2 dB步長提供22 dB
衰減控制范圍。
30V IRF607封在兩邊冷卻的SO-8 SMT封裝,在導通和開關損耗都有重大的改進,它的2.7耗歐姆超低導通電阻在SO-8封裝中是最小的。它的低柵極電荷和柵-漏電荷以及比SO-8封裝MOSFET低70%的封裝電感,使它在兆赫頻率范圍有低的開關損耗。
DirectFET封裝的高熱導性能很快把熱量散出去。采用熱沉從封裝的頂部把熱散走,降低了每個MOSFET周圍的面積,縮小電路尺寸,降低PCB的寄生電感,從而消除不必要的開關損耗。
DirectFET MOSFET IRF6607,專門設計用在高頻同步降壓轉換器中。
(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
Intersil的EL6229C是雙三通道(一個讀和兩個寫)激光驅動器,改善了兩種CD和DVD激光二極管的電流控制。每個通道有獨立的DVD或CD驅動器輸出使能引腳。這就簡化控制,和現有的單通道設計100%兼容。和Intersil新型EL622XC其它系列產品一樣,EL6229C改善波形保真度,增加輸出電流,降低功耗和噪音,使更高速度的CD-R/RW和DVD設計成為可能。
EL6229C有片上60MHz的振蕩器,用外接電阻(一端接地)來控制頻率和幅度。外接電阻使用戶能用電阻上的電壓準確和獨立地設定每個放大器的跨導而不管電壓的大小,保證了DAC寬電壓容量。
功能:
超寬帶頻率范圍:10 MHz至60 GHz
衰減范圍:2 dB步進至22 dB
低插入損耗
衰減精度
典型步進誤差
高輸入線性度
高RF輸入功率處理:
相對相位中的緊湊分布
無低頻雜散信號
并行模式控制,
CMOS和LVTTL兼容
RF幅度建立時間(0.1 dB最終RF輸出):175 ns
16引腳、
2.5 mm × 2.5 mm、
LGA封裝
應用:
工業掃描儀
測試和儀器儀表
蜂窩基礎設施:5G 毫米波
軍用無線電、雷達、
電子對抗(ECM)
微波無線電
甚小孔徑終端(VSAT)
產品描述:
ADRF5740
是一款硅、4位數字衰減器,
以2 dB步長提供22 dB
衰減控制范圍。
30V IRF607封在兩邊冷卻的SO-8 SMT封裝,在導通和開關損耗都有重大的改進,它的2.7耗歐姆超低導通電阻在SO-8封裝中是最小的。它的低柵極電荷和柵-漏電荷以及比SO-8封裝MOSFET低70%的封裝電感,使它在兆赫頻率范圍有低的開關損耗。
DirectFET封裝的高熱導性能很快把熱量散出去。采用熱沉從封裝的頂部把熱散走,降低了每個MOSFET周圍的面積,縮小電路尺寸,降低PCB的寄生電感,從而消除不必要的開關損耗。
DirectFET MOSFET IRF6607,專門設計用在高頻同步降壓轉換器中。
(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)