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觸摸屏接口和音頻模塊8mmx8mm的81引腳LFBGA封裝

發布時間:2020/12/29 1:06:34 訪問次數:611

便攜和無線電子產品制造商必須尋求更加經濟高效的方法,生產個性化的多功能產品,例如智能手機和無線PDA。為達到這個目標,這些制造商希望元件供應商能幫助其節省寶貴的電路板空間、延長電池壽命以及降低成本。

NCP4100將PDA系統兩個主要的高級功能--觸摸屏接口和完整音頻模塊,集成在面積僅為8 mmx8 mm的81引腳LFBGA封裝內。由于絕大多數PDA的工作時間是處于待機狀態,所以NCP4100特別設計成延長產品運行時間。具有可編程功能的部件有電池充電器、一個全特性音頻部件、兩個同步降壓型穩壓器、兩個LDO、一個復位電路和一個欠壓鎖定。

制造商:Infineon 產品種類:門驅動器 RoHS: 詳細信息 產品:Half-Bridge Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 激勵器數量:2 Driver 輸出端數量:2 Output 輸出電流:130 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 上升時間:170 ns 下降時間:90 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 特點:Synchronous 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術:Si 寬度:4 mm 商標:Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:820 ns 最大關閉延遲時間:150 ns 最大開啟延遲時間:680 ns 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:270 uA Pd-功率耗散:625 mW 產品類型:Gate Drivers 工廠包裝數量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg

一個 BBSRAM 包括三個主要組件:標準的 SRAM、電壓傳感器和開關芯片,以及鋰電池。每個 BBSRAM 模塊都具有一個自帶的鋰電池和控制電路(用于監控 VCC,以免發生超出容差范圍)。如果發生這種情況下鋰電池會自動打開,并且寫保護功能會被無條件使能,以避免破壞數據。可執行的寫周期次數不受限制,并且不需要支持微處理器接口的其他電路。

NV-SRAM 技術就是將 SRAM 和 EEPROM 技術結合在同一個芯片上。每一個 SRAM 單元都包含一個非易失性 EEPROM 元件。在 SRAM 模式下,存儲器作為普通的靜態 RAM 使用,其操作速率則為 SRAM 速度。



(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

便攜和無線電子產品制造商必須尋求更加經濟高效的方法,生產個性化的多功能產品,例如智能手機和無線PDA。為達到這個目標,這些制造商希望元件供應商能幫助其節省寶貴的電路板空間、延長電池壽命以及降低成本。

NCP4100將PDA系統兩個主要的高級功能--觸摸屏接口和完整音頻模塊,集成在面積僅為8 mmx8 mm的81引腳LFBGA封裝內。由于絕大多數PDA的工作時間是處于待機狀態,所以NCP4100特別設計成延長產品運行時間。具有可編程功能的部件有電池充電器、一個全特性音頻部件、兩個同步降壓型穩壓器、兩個LDO、一個復位電路和一個欠壓鎖定。

制造商:Infineon 產品種類:門驅動器 RoHS: 詳細信息 產品:Half-Bridge Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 激勵器數量:2 Driver 輸出端數量:2 Output 輸出電流:130 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 上升時間:170 ns 下降時間:90 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 特點:Synchronous 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術:Si 寬度:4 mm 商標:Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:820 ns 最大關閉延遲時間:150 ns 最大開啟延遲時間:680 ns 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:270 uA Pd-功率耗散:625 mW 產品類型:Gate Drivers 工廠包裝數量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg

一個 BBSRAM 包括三個主要組件:標準的 SRAM、電壓傳感器和開關芯片,以及鋰電池。每個 BBSRAM 模塊都具有一個自帶的鋰電池和控制電路(用于監控 VCC,以免發生超出容差范圍)。如果發生這種情況下鋰電池會自動打開,并且寫保護功能會被無條件使能,以避免破壞數據。可執行的寫周期次數不受限制,并且不需要支持微處理器接口的其他電路。

NV-SRAM 技術就是將 SRAM 和 EEPROM 技術結合在同一個芯片上。每一個 SRAM 單元都包含一個非易失性 EEPROM 元件。在 SRAM 模式下,存儲器作為普通的靜態 RAM 使用,其操作速率則為 SRAM 速度。



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