5V柵驅動更高頻率500kHz到1MHz以及采用5V柵驅動的任何頻率，Si4858DY有更低的柵極電荷30.5nC和在4.5V柵驅動時導通電阻7m歐姆.

Siliconix的Si4860DY是為低端和高端工作而設計的.在4.5V柵驅動時導通電阻11m歐姆，使得該器件在低端工作時導通損耗低.作為高端MOSFET，Si4860DY降低了開關損耗，導致更高效率的控制.

該器件的開態延遲時間為18ns,低柵極電荷典型值為12nC，比能處理10到25A輸出電流的同類產品低27%.因此當用在高端和低端時，Si4860DY的導通電阻和柵極電荷的乘積要比同類產出產品低大約22%.

制造商:Infineon 產品種類:IGBT 晶體管 技術:Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風格:Through Hole 配置:Single 集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V 集電極—射極飽和電壓:2.05 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:30 A Pd

功率耗散:217 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 商標:Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:600 nA 產品類型:IGBT Transistors 240 子類別:IGBTs 商標名: 零件號別名:SP000674422 IKW15N12H3XK IKW15N120H3FKSA1 單位重量:38 g

加密系統加裝一個協處理器，提供高度保密功能。這種協處理器能對公共密鑰結構(PKI)進行指數乘法/除法運算。金融卡和其它需要高度安全的應用，微控制器通過幾個片上保密功能如片中關鍵邏輯電路盾牌保護，檢測和其它機制等來強有力地保護數據。

AE45X-B外部接觸型接口符合ISO/IEC 7816標準，它能調整卡的物理特性，引腳的大小和位置，信號協議和指令。非接觸型接口符合ISO/IEC 14443 B型標準，它能調整卡的物理特性，射頻功率和信號接口，防沖突處理和傳輸協議。