OHCI 1.1 1394鏈接層和1394a 400Mbps 2端口物理層在內的全支持
發布時間:2021/1/23 12:24:37 訪問次數:357
PCI7X20還支持新存儲器條形PRO格式，新一代256MB，512MB和1GB存儲器卡具有高容量，高速數據傳輸，高度安安全性和適用于未來的擴展性。
它有40MHz的時鐘，具有增加傳輸速率新指標的全部優點。對1394應用，PCI7X20提供包括OHCI 1.1 1394鏈接層和1394a 400Mbps 2端口物理層在內的全支持。
現在可提供樣品，有兩種配置：PCI7420為單一閃存型，PCI7620為智能卡和閃存型。也可提供單槽型號PCI7X10。
制造商:NXP 產品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 RoHS: 詳細信息 晶體管極性:N-Channel 技術:Si Id-連續漏極電流:800 mA Vds-漏源極擊穿電壓:- 500 mV, 65 V 工作頻率:1.805 GHz to 1.88 GHz 增益:18.2 dB 輸出功率:72 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:NI-780 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:MRF8S18120H 類型:RF Power MOSFET 商標:NXP Semiconductors 通道數量:1 Channel 產品類型:RF MOSFET Transistors 工廠包裝數量:250 子類別:MOSFETs Vgs - 柵極-源極電壓:10 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V 零件號別名:935310108128 單位重量:4.763 g
功耗比同類產品低20%的CMOS單運放LMV321，雙運放LMV358和四運放LMV324，在2.7V的工作電流最大僅有120微安，5V的典型工作電流為100微安。
運放的工作電壓為2.5V到5.5V(±1.25V 到±2.75V)，輸出是軌到軌，引腳和NS，TI和Maxim的LMV3XX系列兼容，可直接替換。
在5V的帶寬為1.4MHz，轉換速率為1.5V/us。這些新型運放給手提設備如手機，ODA，DSP接口，手提測試設備，數碼相機，無鍵盤輸入和MP3播放器提供優異的性能。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
PCI7X20還支持新存儲器條形PRO格式，新一代256MB，512MB和1GB存儲器卡具有高容量，高速數據傳輸，高度安安全性和適用于未來的擴展性。
它有40MHz的時鐘，具有增加傳輸速率新指標的全部優點。對1394應用，PCI7X20提供包括OHCI 1.1 1394鏈接層和1394a 400Mbps 2端口物理層在內的全支持。
現在可提供樣品，有兩種配置：PCI7420為單一閃存型，PCI7620為智能卡和閃存型。也可提供單槽型號PCI7X10。
制造商:NXP 產品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 RoHS: 詳細信息 晶體管極性:N-Channel 技術:Si Id-連續漏極電流:800 mA Vds-漏源極擊穿電壓:- 500 mV, 65 V 工作頻率:1.805 GHz to 1.88 GHz 增益:18.2 dB 輸出功率:72 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:NI-780 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:MRF8S18120H 類型:RF Power MOSFET 商標:NXP Semiconductors 通道數量:1 Channel 產品類型:RF MOSFET Transistors 工廠包裝數量:250 子類別:MOSFETs Vgs - 柵極-源極電壓:10 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V 零件號別名:935310108128 單位重量:4.763 g
功耗比同類產品低20%的CMOS單運放LMV321，雙運放LMV358和四運放LMV324，在2.7V的工作電流最大僅有120微安，5V的典型工作電流為100微安。
運放的工作電壓為2.5V到5.5V(±1.25V 到±2.75V)，輸出是軌到軌，引腳和NS，TI和Maxim的LMV3XX系列兼容，可直接替換。
在5V的帶寬為1.4MHz，轉換速率為1.5V/us。這些新型運放給手提設備如手機，ODA，DSP接口，手提測試設備，數碼相機，無鍵盤輸入和MP3播放器提供優異的性能。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
