LVTTL I/O電平或在208MHz下采用HSTL I/O電平
發布時間:2021/1/25 20:10:52 訪問次數:381
以太網MAC接口支持標準的TBI(1000Mbps),GMII(1000Mbps)和MII(10/100Mbps)接口模式；
通用包接口支持工作在104MHz的8位，16位和32位，采用LVTTL I/O電平或在208MHz下采用HSTL I/O電平；
用于以太網MAC或GPI接口的專用多通道DMA。
提供200MHz SysAD接口，用于寬帶寬的連接；
提供33MHz局部總線接口，用于連接到引導和配置設備。
制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:180 A Rds On-漏源導通電阻:2.7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:100 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:200 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標:Infineon Technologies 正向跨導 - 最小值:170 S 下降時間:58 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:110 ns 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:36 ns 典型接通延遲時間:18 ns 單位重量:6 g
新型Intel Itanium 2處理器和Xeon處理器MP，進一步加強了Intel產品在高端企業級計算方面的地位。帶有6MB L3緩存的Intel Itanium 2處理器是一種獨特的結構，能滿足企業和技術上的應用。
基于Itanium 2的平臺能以低得多的成本和比RISC技術更多的選擇提供業界一流的性能，使商業和機構能最大限度地得到投資回報(ROI)。
現在多于85%的服務器都是基于Intel的架構。今天推出的新產品擴充了Intel在多處理器商業應用服務器的開發力度，一般來說是用在公司級高端計算數據中心。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
以太網MAC接口支持標準的TBI(1000Mbps),GMII(1000Mbps)和MII(10/100Mbps)接口模式；
通用包接口支持工作在104MHz的8位，16位和32位，采用LVTTL I/O電平或在208MHz下采用HSTL I/O電平；
用于以太網MAC或GPI接口的專用多通道DMA。
提供200MHz SysAD接口，用于寬帶寬的連接；
提供33MHz局部總線接口，用于連接到引導和配置設備。
制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:180 A Rds On-漏源導通電阻:2.7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:100 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:200 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標:Infineon Technologies 正向跨導 - 最小值:170 S 下降時間:58 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:110 ns 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:36 ns 典型接通延遲時間:18 ns 單位重量:6 g
新型Intel Itanium 2處理器和Xeon處理器MP，進一步加強了Intel產品在高端企業級計算方面的地位。帶有6MB L3緩存的Intel Itanium 2處理器是一種獨特的結構，能滿足企業和技術上的應用。
基于Itanium 2的平臺能以低得多的成本和比RISC技術更多的選擇提供業界一流的性能，使商業和機構能最大限度地得到投資回報(ROI)。
現在多于85%的服務器都是基于Intel的架構。今天推出的新產品擴充了Intel在多處理器商業應用服務器的開發力度，一般來說是用在公司級高端計算數據中心。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
