600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅動器是開關速度高達150V/ns.

器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).

這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供清晰的開關和最小的振鈴.其它特性還包括可調柵極驅動強度用于EMI控制,超溫和帶故障指示的魯棒的過流保護,從而提供有化的BOM成本,PCB板尺寸和占位面積.

制造商:Micron Technology產品種類:動態隨機存取存儲器RoHS:  類型:SDRAM - DDR2安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-84數據總線寬度:16 bit組織:64 M x 16存儲容量:1 Gbit最大時鐘頻率:800 MHz電源電壓-最大:1.9 V電源電壓-最小:1.7 V電源電流—最大值:95 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Tray商標:Micron 濕度敏感性:Yes 產品類型:DRAM 1368 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.237 g

輸入的E-CAP是小型高壓電容器(CHV典型400 V)和并聯的低壓電容(CLV典型160 V),串聯到MinE-CAP IC.輸入電容的物理尺寸最小化(降低多達50%)是因為輸入電容的大比例是160V而不是400V,正如在通常通用輸入轉換器所用的.

和InnoSwitch™ IC系列產品一起使用可得到最少的元件數量和超緊湊的AC/DC轉換器.MinE-CAP具有先進大保護和安全特性包括溫度檢測和滯后的熱關斷,輸入浪涌保護以及引腳開路/短路與E-CAP UV/OV故障報告.主要用在大功率密度通用輸入AC/DC轉換器以及非常寬輸入范圍(90 – 350+ VAC)的應用.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）