Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。

全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低電流性能，而去年推出的第一款650 V產品TDG650E60提供60A的電流。

650 V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，用于要求嚴格的高可靠性軍事、航空電子和太空應用，是諸如電源、電機控制和半橋拓撲等應用的理想之選。

最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:300 高度:1 mm 長度:3 mm 技術:Si 寬度:1.4 mm 商標:Nexperia 集電極連續電流:- 200 mA 直流集電極/Base Gain hfe Min:30 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數量:3000 子類別:Transistors 零件號別名:933776010215 單位重量:7.500 mg

SmartEnviro產品的特點與優勢包括：超低功耗 直接CO2檢測 數字接口（I2C）.

小型化封裝 提供非常寬的檢測范圍（400 ppm到50000 ppm） 集成16位微控制器進行板級可編程能力的解決方案.

后臺校準以保持長期穩定性 符合RoHS和綠色環保要求除了物聯網用戶解決方案，TCE-11101還可以實現廣泛的健康和商業應用，如氣體泄漏檢測，同時還可以確保高精度。

易于集成及可編程性有助于簡化最終系統設計及部署。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）