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全新的CCX設計和翻倍的L3緩存也解決掉了延遲問題

發布時間:2021/3/9 0:45:22 訪問次數:623

Zen 3重新調整了CCX與核心布局,緩存體系,再一次顯著提升了IPC,而加速頻率也得以繼續提升。

不過,高頻率不是Zen 3最重要的提升,這次的提升更多的是在能效方面。

據AMD官方介紹,能效比更是i9-10900K的2.8倍。而8核CCX設計可直接共享訪問的32MB L3緩存,相比上一代IPC有19%的顯著提升。同時,全新的CCX設計和翻倍的L3緩存也解決掉了延遲問題。

AMD這次首發共有R9 5950X、R9 5900X、R7 5800X 和 R5 5600X四款產品。其中旗艦產品AMD銳龍 9 5950X 擁有多達16個核心、32線程和72MB緩存設計。游戲性能提升26%.

制造商:Rectron 產品種類:肖特基二極管與整流器 RoHS: 詳細信息 產品:Schottky Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 配置:Dual 技術:Si If - 正向電流:200 mA Vrrm - 重復反向電壓:30 V Vf - 正向電壓:1 V Ir - 反向電流 :2 uA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Rectron Pd-功率耗散:200 mW 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數量:3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vr - 反向電壓 :30 V 單位重量:174.444 mg

內置ECC能夠依靠自身功能修復DRAM單元(cell)單字節單位的錯誤。

有助于該特性,采用SK海力士DDR5 DRAM的系統的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技術相結合,更能夠組成容量高達256GB的高容量模組。

SK海力士期待這種低功耗,高信賴度且綠色環保的DDR5 DRAM將幫助數據中心降低其功耗及運營成本。

為了樹立基于JEDEC標準的初期結構概念(early architecture concept)并完成DDR5標準規格的開發,英特爾與SK海力士維持了緊密的合作關系。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

Zen 3重新調整了CCX與核心布局,緩存體系,再一次顯著提升了IPC,而加速頻率也得以繼續提升。

不過,高頻率不是Zen 3最重要的提升,這次的提升更多的是在能效方面。

據AMD官方介紹,能效比更是i9-10900K的2.8倍。而8核CCX設計可直接共享訪問的32MB L3緩存,相比上一代IPC有19%的顯著提升。同時,全新的CCX設計和翻倍的L3緩存也解決掉了延遲問題。

AMD這次首發共有R9 5950X、R9 5900X、R7 5800X 和 R5 5600X四款產品。其中旗艦產品AMD銳龍 9 5950X 擁有多達16個核心、32線程和72MB緩存設計。游戲性能提升26%.

制造商:Rectron 產品種類:肖特基二極管與整流器 RoHS: 詳細信息 產品:Schottky Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 配置:Dual 技術:Si If - 正向電流:200 mA Vrrm - 重復反向電壓:30 V Vf - 正向電壓:1 V Ir - 反向電流 :2 uA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Rectron Pd-功率耗散:200 mW 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數量:3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vr - 反向電壓 :30 V 單位重量:174.444 mg

內置ECC能夠依靠自身功能修復DRAM單元(cell)單字節單位的錯誤。

有助于該特性,采用SK海力士DDR5 DRAM的系統的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技術相結合,更能夠組成容量高達256GB的高容量模組。

SK海力士期待這種低功耗,高信賴度且綠色環保的DDR5 DRAM將幫助數據中心降低其功耗及運營成本。

為了樹立基于JEDEC標準的初期結構概念(early architecture concept)并完成DDR5標準規格的開發,英特爾與SK海力士維持了緊密的合作關系。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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