高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間即插即用式解決方案
發布時間:2021/3/14 12:31:50 訪問次數:370
A17700采用24引腳4 mm×4 mm QFN小型封裝,帶有可粘錫側翼,非常適合于高可靠焊接和外觀檢查焊點等需求。
A17700快速響應時間可以加快輸出采樣速率,從而使系統能夠濾除不希望的膜振蕩信號.這種增強的振蕩濾除能力可確保采用最適當的濾波方式,并為客戶提供值得信賴的可靠性和性能。
這種封裝形式使用靈活的引腳來提高整體可靠性,并且MOSFET之間采用內部銅夾連接,簡化了PCB設計并帶來了即插即用式解決方案,電流處理能力達到98A,表現非常出色。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:40 A Rds On-漏源導通電阻:3 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:125 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:83 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:SI7 商標:Vishay Semiconductors 產品類型:MOSFET 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 零件號別名:SI7880ADP-E3 單位重量:506.600 mg
在半橋結構中,高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會產生大量的寄生電感。但是,通過內部夾式連接,LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感。
新推出的LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產品都采用高度耐用的Trench 9汽車級晶圓工藝技術,額定電壓為40 V,并在關鍵測試中通過了兩倍汽車AEC-Q101規范的驗證。
這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700采用24引腳4 mm×4 mm QFN小型封裝,帶有可粘錫側翼,非常適合于高可靠焊接和外觀檢查焊點等需求。
A17700快速響應時間可以加快輸出采樣速率,從而使系統能夠濾除不希望的膜振蕩信號.這種增強的振蕩濾除能力可確保采用最適當的濾波方式,并為客戶提供值得信賴的可靠性和性能。
這種封裝形式使用靈活的引腳來提高整體可靠性,并且MOSFET之間采用內部銅夾連接,簡化了PCB設計并帶來了即插即用式解決方案,電流處理能力達到98A,表現非常出色。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:40 A Rds On-漏源導通電阻:3 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:125 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:83 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:SI7 商標:Vishay Semiconductors 產品類型:MOSFET 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 零件號別名:SI7880ADP-E3 單位重量:506.600 mg
在半橋結構中,高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會產生大量的寄生電感。但是,通過內部夾式連接,LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感。
新推出的LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產品都采用高度耐用的Trench 9汽車級晶圓工藝技術,額定電壓為40 V,并在關鍵測試中通過了兩倍汽車AEC-Q101規范的驗證。
這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。