CMOS光電檢測器的輸出電流及較低的輸入電壓
發布時間:2021/3/15 22:50:55 訪問次數:1426
SWIFTTMDC/DC 轉換器的新型即用型電源模塊。該模塊可提供高達 6 安培的輸出電流及較低的輸入電壓。
所有這些均集成在外形小巧、功能齊全、并可直接焊接到系統主板上的解決方案。
這種易用型 SWIFT 模塊適用于負載點應用,如通信、聯網、計算機及各種其它應用中的數字信號處理器 (DSP)、ASIC、FPGA、微處理器與微控制器等。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:4.3 A, 6 A Rds On-漏源導通電阻:47 mOhms, 89 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:6 nC, 7.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.78 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:SI4 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:7 S 下降時間:6 ns, 7.7 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:12 ns, 13 ns 工廠包裝數量:2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:14 ns, 17 ns 典型接通延遲時間:5.5 ns, 7 ns 零件號別名:SI4532CDY-GE3 單位重量:187 mg
TEKS6400設計成用作汽車電子中仿真感應處理器系統(ESP)的轉向角編碼器和光學手柄編碼器以及終端設備如打印機,復印機和移動手機等透射或反射傳感器。
這種新的CMOS光電檢測器,工作電流只有45umA,工作電壓在2.5V 到5.5V,是它很適合用在用電池驅動的設備中。
TEKS6400在-40°C到 +85°C可靠工作,最大結溫為100°C,最大輸出電流為20mA,最大功耗為50mW.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
SWIFTTMDC/DC 轉換器的新型即用型電源模塊。該模塊可提供高達 6 安培的輸出電流及較低的輸入電壓。
所有這些均集成在外形小巧、功能齊全、并可直接焊接到系統主板上的解決方案。
這種易用型 SWIFT 模塊適用于負載點應用,如通信、聯網、計算機及各種其它應用中的數字信號處理器 (DSP)、ASIC、FPGA、微處理器與微控制器等。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:4.3 A, 6 A Rds On-漏源導通電阻:47 mOhms, 89 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:6 nC, 7.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.78 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:SI4 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:7 S 下降時間:6 ns, 7.7 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:12 ns, 13 ns 工廠包裝數量:2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:14 ns, 17 ns 典型接通延遲時間:5.5 ns, 7 ns 零件號別名:SI4532CDY-GE3 單位重量:187 mg
TEKS6400設計成用作汽車電子中仿真感應處理器系統(ESP)的轉向角編碼器和光學手柄編碼器以及終端設備如打印機,復印機和移動手機等透射或反射傳感器。
這種新的CMOS光電檢測器,工作電流只有45umA,工作電壓在2.5V 到5.5V,是它很適合用在用電池驅動的設備中。
TEKS6400在-40°C到 +85°C可靠工作,最大結溫為100°C,最大輸出電流為20mA,最大功耗為50mW.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)