這款放大器采用內部供給全部電源電壓的架構，使HFDA801A可以從車輛蓄電池取電，而無需增加額外的電源變換器。新放大器具有廣泛的負載范圍，即使大功率驅動四路2Ω低阻抗負載，也能確保性能穩定。

此外，通過集成實時診斷、數字阻抗表和實時負載電流監視器，HFDA801A還可用于安全相關的必須符合ASIL要求的音頻應用，例如，電動汽車低速提示音系統 (AVAS)。

制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-563-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續漏極電流:1.030 A, 700 mA Rds On-漏源導通電阻:480 mOhms, 970 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 5 V, + 5 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV Qg-柵極電荷:70 pC, 850 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:DMC2400 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:10.54 ns, 19.2 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:7.28 ns, 4.3 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:13.74 ns, 20.2 ns 典型接通延遲時間:4.06 ns, 8.5 ns 單位重量:29 mg

客戶需要采購更多系統進行測試,才能滿足制造需求，但這樣無疑會導致規模擴大,基礎設施成本上升,占用更大的測試空間，并且需要更多的成本投資和維護人員。

是德科技新型多核并行測試系統可支持多達 20 個內核并行測試，并提供了基于 PXIe 模塊化接口整合功能測試。

因此，其內核配置可以靈活調整，不受電路板多聯版數量的限制，從而可以降低總體計算成本。