低頻率同步及由用戶選擇的300kHz或400kHz的開關頻率
發布時間:2021/3/16 8:39:56 訪問次數:1281
200V功率MOSFET的器件,具有設計有效DC/DC轉換器所需的所有控制電路和保護功能,因此,能節省多達50個外接元器件,導致更短的設計周期,更低的成本,更小的板的尺寸。
器件的輸入電壓為6V到75V,能處理高達110瓦的連續輸出功率。
利用其中的三個引腳,可進行在線感應,從外部準確的設定限制電流,遙控開/關,和更低頻率同步以及由用戶選擇的300kHz或400kHz的開關頻率。
產品分類MOSFETs
晶體管
FET配置(電路類型)N和P溝道互補型 漏極電流(Id, 連續)3.4A,2.3A 閾值電壓Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封裝/外殼SC-74,SOT-457 產品分類MOSFETs
晶體管
FET配置(電路類型)N和P溝道互補型 漏極電流(Id, 連續)3.4A,2.3A 閾值電壓Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封裝/外殼SC-74,SOT-457
負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。在典型的低邊柵極驅動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,但一些情況下,由于驅動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。高di/dt的電流在流經MOSFET及其板級回路時,寄生電感存在會導致驅動器的地電位相對于控制器地電位瞬間抬升,驅動器的輸入和地之間就相當于出現一個瞬間負壓。在極端情況下,可能造成驅動器內部輸入ESD器件受損,驅動器出現失效。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
200V功率MOSFET的器件,具有設計有效DC/DC轉換器所需的所有控制電路和保護功能,因此,能節省多達50個外接元器件,導致更短的設計周期,更低的成本,更小的板的尺寸。
器件的輸入電壓為6V到75V,能處理高達110瓦的連續輸出功率。
利用其中的三個引腳,可進行在線感應,從外部準確的設定限制電流,遙控開/關,和更低頻率同步以及由用戶選擇的300kHz或400kHz的開關頻率。
產品分類MOSFETs
晶體管
FET配置(電路類型)N和P溝道互補型 漏極電流(Id, 連續)3.4A,2.3A 閾值電壓Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封裝/外殼SC-74,SOT-457 產品分類MOSFETs
晶體管
FET配置(電路類型)N和P溝道互補型 漏極電流(Id, 連續)3.4A,2.3A 閾值電壓Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封裝/外殼SC-74,SOT-457
負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。在典型的低邊柵極驅動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,但一些情況下,由于驅動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。高di/dt的電流在流經MOSFET及其板級回路時,寄生電感存在會導致驅動器的地電位相對于控制器地電位瞬間抬升,驅動器的輸入和地之間就相當于出現一個瞬間負壓。在極端情況下,可能造成驅動器內部輸入ESD器件受損,驅動器出現失效。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)