DC-DC轉換FET有利于400/500V總線電壓應用
發布時間:2021/3/22 22:57:31 訪問次數:188
第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。
作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET,這四款第四代器件基于領先的品質因數(FoM)實現了新的性能水平,從而使汽車、工業充電、電信整流器、數據中心功率因數校正(PFC)和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的電源應用都能夠從中受益。
這些新器件將聯合碳化硅的產品擴展到了750V,這樣就可以為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。同時,這一VDS額定值的提高,也使這些FET有利于400/500V總線電壓應用。
制造商: ISSI
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOP-8
系列: IS25LP064D
存儲容量: 64 Mbit
電源電壓-最小: 2.3 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流(最大值): 10 mA
接口類型: QPI, SPI
最大時鐘頻率: 133 MHz
組織: 8 M x 8
數據總線寬度: 8 bit
定時類型: Synchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: ISSI
電源電流—最大值: 10 mA
產品類型: NOR Flash
工廠包裝數量: 2000
子類別: Memory & Data Storage
基于平面波導技術的新型光學模塊,這項新技術結合了激光組件通過平面路徑發出的光,可以在超小型激光模塊中實現約1620萬種顏色的全彩顯示。
從新模塊發出的激光束被可視化到MEMS反射鏡上,然后從透鏡反射回來并直接投射到眼睛的視網膜上。與人們看到真實物體的方式不同,直接投射到視網膜上的圖像將始終清晰,而無需調整焦點。
當用于在環境視圖中將圖像進行分層的AR眼鏡中時,所有元素都保持聚焦,從而可以提供更逼真、更優質的AR體驗。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。
作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET,這四款第四代器件基于領先的品質因數(FoM)實現了新的性能水平,從而使汽車、工業充電、電信整流器、數據中心功率因數校正(PFC)和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的電源應用都能夠從中受益。
這些新器件將聯合碳化硅的產品擴展到了750V,這樣就可以為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。同時,這一VDS額定值的提高,也使這些FET有利于400/500V總線電壓應用。
制造商: ISSI
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOP-8
系列: IS25LP064D
存儲容量: 64 Mbit
電源電壓-最小: 2.3 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流(最大值): 10 mA
接口類型: QPI, SPI
最大時鐘頻率: 133 MHz
組織: 8 M x 8
數據總線寬度: 8 bit
定時類型: Synchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: ISSI
電源電流—最大值: 10 mA
產品類型: NOR Flash
工廠包裝數量: 2000
子類別: Memory & Data Storage
基于平面波導技術的新型光學模塊,這項新技術結合了激光組件通過平面路徑發出的光,可以在超小型激光模塊中實現約1620萬種顏色的全彩顯示。
從新模塊發出的激光束被可視化到MEMS反射鏡上,然后從透鏡反射回來并直接投射到眼睛的視網膜上。與人們看到真實物體的方式不同,直接投射到視網膜上的圖像將始終清晰,而無需調整焦點。
當用于在環境視圖中將圖像進行分層的AR眼鏡中時,所有元素都保持聚焦,從而可以提供更逼真、更優質的AR體驗。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)