SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優良的開關性能，開關損耗在結溫范圍內幾乎沒有變化。ST提供廣泛的第二代S MOSFET：額定擊穿電壓值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。

在電動汽車牽引電機或充電站等汽車應用中，以及在太陽能發電機和電機驅動等工業應用.

BP45F1322內建H-Bridge可直驅最大2.1A直流有刷馬達，實現正反轉功能，并可由MCU進行電流檢測，具備OCP、OSP、OTP等全方位保護功能。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:8位微控制器 -MCU RoHS: 詳細信息 系列:STM8L151R8 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-64 核心:STM8 程序存儲器大小:64 kB 數據總線寬度:8 bit ADC分辨率:12 bit 最大時鐘頻率:16 MHz 輸入/輸出端數量:54 I/O 數據 RAM 大小:4 kB 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 程序存儲器類型:Flash 商標:STMicroelectronics 數據 Ram 類型:RAM 數據 ROM 大小:2 kB 數據 Rom 類型:EEPROM 接口類型:I2C, SPI, USART 濕度敏感性:Yes ADC通道數量:28 Channel 計時器/計數器數量:5 Timer 處理器系列:STM8L 產品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量:960 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:1.8 V 單位重量:342.700 mg

該基座具有標準NEMA/ANSI路燈接口、通用交流輸入范圍、用于鎮流器控制通信的隔離24V DC輸出以及用于客戶電路的隔離5V和3.3V DC輸出。它還兼容UL773，以簡化集成。

平臺進一步提高了新的信號系統的可制造性，包括通過新的信號系統設計來提高產品的可制造性；通過重新設計，降低了產品的可制造性。

LUMAWISE Endurance N Enhanced Base非常適用于街道和道路照明控制、商業和校園室外照明管理、智能城市控制網絡以及智能電網到智能城市的橋接等應用。