GaN功率晶體管的整體復合年均增長率將達到66.5%
發布時間:2021/4/2 23:20:59 訪問次數:569
GEM結合了兩個關鍵元素：人工智能（AI）和CYNORA化學家的智慧。
雖然人工智能提供了巨大的計算能力，但也可能存在預測誤差和其他不確定性，從而減少專業應用中的有效產出。
GEM通過將其計算能力與CYNORA化學家的材料專業知識以及OLED器件知識相結合來識別具有高潛力的分子，從而為人工智能在OLED材料發現方面提供了強大的動力。
一個評分系統可以預測分子與必備參數的符合程度，以及它對目標用途（即高效發光材料）的實用性。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:低壓差穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-3 輸出電壓:2.5 V 輸出電流:1 A 輸出端數量:1 Output 靜態電流:60 uA 最大輸入電壓:6 V 最小輸入電壓:2.5 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 回動電壓:450 mV 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:LDO Voltage Regulators 類型:Low Noise CMOS LDO Regulator With Enable 商標:Diodes Incorporated 回動電壓—最大值:750 mV PSRR/紋波抑制—典型值:65 dB 電壓調節準確度:1.5 % 線路調整率:0.02 %/V 負載調節:0.2 %/A 濕度敏感性:Yes 產品類型:LDO Voltage Regulators 4000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:112 mg
與硅(Si)相比，氮化鎵功率轉換器在電源應用中擁有根本性的優勢。
Transphorm的GaN FET可以將交流轉直流PFC級的效率提升到99%以上，從而在降低整體系統成本的同時，提高功率密度（外形尺寸相同，功率更大）——除此之外，已公布的現場可靠性小于1.0 FIT（失效率）。
GaN功率晶體管的應用有望迅速增加。Omdia近日預測，事實上，從2019年到2024年，應用于數據中心電源的GaN功率晶體管的整體復合年均增長率將達到66.5%。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
GEM結合了兩個關鍵元素：人工智能（AI）和CYNORA化學家的智慧。
雖然人工智能提供了巨大的計算能力，但也可能存在預測誤差和其他不確定性，從而減少專業應用中的有效產出。
GEM通過將其計算能力與CYNORA化學家的材料專業知識以及OLED器件知識相結合來識別具有高潛力的分子，從而為人工智能在OLED材料發現方面提供了強大的動力。
一個評分系統可以預測分子與必備參數的符合程度，以及它對目標用途（即高效發光材料）的實用性。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:低壓差穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-3 輸出電壓:2.5 V 輸出電流:1 A 輸出端數量:1 Output 靜態電流:60 uA 最大輸入電壓:6 V 最小輸入電壓:2.5 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 回動電壓:450 mV 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:LDO Voltage Regulators 類型:Low Noise CMOS LDO Regulator With Enable 商標:Diodes Incorporated 回動電壓—最大值:750 mV PSRR/紋波抑制—典型值:65 dB 電壓調節準確度:1.5 % 線路調整率:0.02 %/V 負載調節:0.2 %/A 濕度敏感性:Yes 產品類型:LDO Voltage Regulators 4000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:112 mg
與硅(Si)相比，氮化鎵功率轉換器在電源應用中擁有根本性的優勢。
Transphorm的GaN FET可以將交流轉直流PFC級的效率提升到99%以上，從而在降低整體系統成本的同時，提高功率密度（外形尺寸相同，功率更大）——除此之外，已公布的現場可靠性小于1.0 FIT（失效率）。
GaN功率晶體管的應用有望迅速增加。Omdia近日預測，事實上，從2019年到2024年，應用于數據中心電源的GaN功率晶體管的整體復合年均增長率將達到66.5%。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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