Cortex®-M3內核晶閘管的高電壓和高電流特性
發布時間:2021/4/3 18:24:49 訪問次數:304
MCT是新型的MOS和雙極復合器件。 MCT結合了MOSFET的高阻抗，低驅動功率和快速開關速度的特性，以及晶閘管的高電壓和高電流特性，形成了一個高功率，高電壓，快速而完整的控制裝置。
本質上，MCT是MOS門控晶閘管。它可以在門上添加一個窄脈沖以將其打開或關閉，它由無數個并聯的單位單元組成。
IGCT(IntergratedGateCommutatedThyristors)：IGCT是在晶閘管技術與IGBT和GTO技術相結合的基礎上開發的一種新型器件。它適用于高壓和大容量的變頻系統。
全新的微控制器---M4K、M4M、M4G、M4N和M3H，且均屬于TXZ+™族。
其中M4K、M4M、M4G和M4N組基于Arm® Cortex®-M4內核；M3H組基于Arm® Cortex®-M3內核。全組均可實現低功耗，適合多種類型的應用，如電機控制、互聯物聯網設備、先進傳感功能等。
工程樣片將從2020財年第四季度開始提供（2021年1月到3月），量產將從2021財年第二季度開始（2021年7月到9月）。
此外，還將同時提供相關文檔、開發工具和示例軟件。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
MCT是新型的MOS和雙極復合器件。 MCT結合了MOSFET的高阻抗，低驅動功率和快速開關速度的特性，以及晶閘管的高電壓和高電流特性，形成了一個高功率，高電壓，快速而完整的控制裝置。
本質上，MCT是MOS門控晶閘管。它可以在門上添加一個窄脈沖以將其打開或關閉，它由無數個并聯的單位單元組成。
IGCT(IntergratedGateCommutatedThyristors)：IGCT是在晶閘管技術與IGBT和GTO技術相結合的基礎上開發的一種新型器件。它適用于高壓和大容量的變頻系統。
全新的微控制器---M4K、M4M、M4G、M4N和M3H，且均屬于TXZ+™族。
其中M4K、M4M、M4G和M4N組基于Arm® Cortex®-M4內核；M3H組基于Arm® Cortex®-M3內核。全組均可實現低功耗，適合多種類型的應用，如電機控制、互聯物聯網設備、先進傳感功能等。
工程樣片將從2020財年第四季度開始提供（2021年1月到3月），量產將從2021財年第二季度開始（2021年7月到9月）。
此外，還將同時提供相關文檔、開發工具和示例軟件。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
