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高達25Gbit/s的高傳輸速率額定電流實現500mA

發布時間:2021/4/6 13:09:00 訪問次數:333

在電路板設計中,這種緊湊的外部尺寸有助于節省空間,并且還有助于減輕耳機的重量,為用戶提供移動舒適性。

電感器采用磁屏蔽結構,減少了漏磁,為實現高密度鋪平了道路。

電感器的薄膜工藝采用了TDK原有的結構設計和新開發的材料,即使在尺寸為1.0mm(高度)x 0.6mm(寬度)x 0.8mm(高度)、電感高達2.2μH的情況下,額定電流也可實現500mA。

TWS設備在智能手機、智能手表和其他可穿戴設備中的應用越來越廣泛。

制造商:Vishay 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:30 A Rds On-漏源導通電阻:3.2 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:95 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:6 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列: 商標:Vishay Semiconductors 產品類型:MOSFET 2500 子類別:MOSFETs 零件號別名:SI4164DY-GE3 單位重量:187 mg

高達25Gbit/s的高傳輸速率以及出色的信號完整性、可靠性和穩健性,能夠節省空間的MicroSpeed連接器不僅可靈活地用于數據和電信領域,其-55°C至+125°C工作溫度范圍亦使之能夠用于各種醫療技術和工業自動化應用領域。

新型非屏蔽電源連接器具有多達44個觸點(1或2排),借助于可變觸點間距和選擇性的端子組裝,可以實現高成本經濟效益并具有高達15A的高載流能力的電源,并且支持更高的工作電壓,這意味著這些電源連接器現在可以靈活地用于目前使用其他或更大連接器的應用中。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


在電路板設計中,這種緊湊的外部尺寸有助于節省空間,并且還有助于減輕耳機的重量,為用戶提供移動舒適性。

電感器采用磁屏蔽結構,減少了漏磁,為實現高密度鋪平了道路。

電感器的薄膜工藝采用了TDK原有的結構設計和新開發的材料,即使在尺寸為1.0mm(高度)x 0.6mm(寬度)x 0.8mm(高度)、電感高達2.2μH的情況下,額定電流也可實現500mA。

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新型非屏蔽電源連接器具有多達44個觸點(1或2排),借助于可變觸點間距和選擇性的端子組裝,可以實現高成本經濟效益并具有高達15A的高載流能力的電源,并且支持更高的工作電壓,這意味著這些電源連接器現在可以靈活地用于目前使用其他或更大連接器的應用中。


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