60R019C7高出0.15~0.34%對應的輸入功耗小了1~4W
發布時間:2021/4/7 8:31:00 訪問次數:553
在3.3KW PFC模塊電路測試中，WMJ120N60CM和行業某知名廠商的65R019C7效率幾乎無差異，甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對應的輸入功耗小了1~4W。
目前此款產品主要面向高功率電源模塊，比如新能源汽車地面充電樁模塊電源，通信電源和高功率充電機等行業，在減少成本費用的情況下實現高效，加速新基建全面落地。
230Vac 輸出400V/8.31A條件下開關波形，VGS 開通延遲時間兩者無差異：WMJ120N60CM 155ns, 65R019C7 148ns.
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-3x3-8
封裝: Reel
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
寬度: 3.3 mm
商標: Infineon Technologies
產品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
UMT-H表面貼裝陶瓷保險絲系列產品質量上乘，目前該系列產品新增添了額定電流為40A和50A的型號，其額定分斷能力在125VAC/72VDC時可高達500A。
該系列產品首次提供過流和短路保護功能，且結構緊湊，產品尺寸僅為5.3x16mm。
UMT-H系列保險絲的研發初衷是為尺寸為5x20mm的通孔安裝熔絲管提供一個體積更小的替代產品，這種熔絲管通常用于主電路保護。
目前，UMT-H系列產品已涵蓋從160mA到50A的26種額定電流。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
在3.3KW PFC模塊電路測試中，WMJ120N60CM和行業某知名廠商的65R019C7效率幾乎無差異，甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對應的輸入功耗小了1~4W。
目前此款產品主要面向高功率電源模塊，比如新能源汽車地面充電樁模塊電源，通信電源和高功率充電機等行業，在減少成本費用的情況下實現高效，加速新基建全面落地。
230Vac 輸出400V/8.31A條件下開關波形，VGS 開通延遲時間兩者無差異：WMJ120N60CM 155ns, 65R019C7 148ns.
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-3x3-8
封裝: Reel
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
寬度: 3.3 mm
商標: Infineon Technologies
產品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
UMT-H表面貼裝陶瓷保險絲系列產品質量上乘，目前該系列產品新增添了額定電流為40A和50A的型號，其額定分斷能力在125VAC/72VDC時可高達500A。
該系列產品首次提供過流和短路保護功能，且結構緊湊，產品尺寸僅為5.3x16mm。
UMT-H系列保險絲的研發初衷是為尺寸為5x20mm的通孔安裝熔絲管提供一個體積更小的替代產品，這種熔絲管通常用于主電路保護。
目前，UMT-H系列產品已涵蓋從160mA到50A的26種額定電流。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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