高溫環境中使用NCW AT系列電阻，且不影響額定功率或電氣性能。

在大量現代專業功率電子領域，功率耗散、可靠性、穩定性和強健性設計是主要考慮因素，新款電阻是這類應用的理想選擇。

典型應用包括DC/DC轉換器、LED驅動器，DC電流監控和電池管理系統。

SiC MOSFET技術支持Midnite Solar最新的電源轉換產品設計，我們確實很高興看到先進的功率器件和系統解決方案為我們的尊貴客戶帶來積極的改變。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    P-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 25 V, + 25 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    3.1 V    

Qg-柵極電荷:    57.5 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS P3  

晶體管類型:   1 P-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   30 S  

下降時間:   8 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   46 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   35 ns  

典型接通延遲時間:   16 ns  

零件號別名:  SP000473024 BSZ86P3NS3GXT BSZ086P03NS3GATMA1  

單位重量:  100 mg  

Z-Wave 700調制解調器(Modem) SoC,具有極好的無線電靈敏度,從而提高了Z-Wave網狀網絡的距離.該器件提供業界一流的低功耗Gecko技術,是網關和控制器的理想解決方案,特別是智能家居應用如智能家庭網關,智能揚聲器,機頂盒(STB),U盤等等.

該低功耗無線系統級芯片(SoC)基于高性能32位39 MHz ARM Cortex®-M4h核和DSP指令與浮點單元,具有高效信號處理.亞GHz無線電工作,發送功率高達14dBm,其高性能接收器在100 kbit/s GFSK, 868 MHz的靈敏度為-98.6 dBm.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）