普通硅MOSFET的體二極管速度非常慢,試圖使逆變器作為充電器工作,它必須雙向運行是非常困難的。將IGBT對與另一個二極管結合起來，但碳化硅是一個如此好的解決方案，而且ROHM的器件不需要任何重大的設計改變，所以它是一個明顯的選擇。

Midnite太陽能公司在其新的太陽能產品系列中納入了ROHM的60mΩ RDS(on)SiC器件和較新的30mΩ RDS(on)產品。他預計可靠性會非常好，因為設計運行酷似。

驅動部件將很簡單，因為ROHM也提供柵極驅動器。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    P-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 25 V, + 25 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    3.1 V    

Qg-柵極電荷:    57.5 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS P3  

晶體管類型:   1 P-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   30 S  

下降時間:   8 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   46 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   35 ns  

典型接通延遲時間:   16 ns  

零件號別名:  SP000473024 BSZ86P3NS3GXT BSZ086P03NS3GATMA1  

單位重量:  100 mg  

在100 kbit/s GFSK, 915 MHz的確靈敏度為-98.8 dBm.

而100 kbit/s DSSS O-QPSK, 912 MHz的靈敏度為-106dBm.器件支持的調制格式有2 (G)FSK和DSSS O-QPSK,支持的協議有Z-Wave和Z-Wave長距離.

工作電壓1.8V到3.8V,并集成了DC/DC轉換器,工作溫度-40 C 到 85 C, QFN32 5x5 mm封裝.

控制器具有多種故障保護電路以防止過流(OCP),輸出過壓(OVP),輸入UVLO和熱關斷. MAX15157B具有可調整內部補償斜率,器件采用精確的電流檢測放大器,通過模擬輸出(IMON)報告輸出電流.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）