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致鈦木星10的順序讀取速度能夠達到530MB/s

發布時間:2021/4/8 18:38:44 訪問次數:676

致鈦木星10的順序讀取速度能夠達到530MB/s,傳輸速度同比傳統機械硬盤快至4倍。

與傳統的機械硬盤相比,致鈦木星10移動固態硬盤具有更高的安全性和可靠性。根據官方數據,木星10移動固態硬盤版本現已上架京東平臺,預售期間,下單即可享受10元抵50元的定金膨脹活動。關注致鈦的朋友們也可在京東、微信、微博等平臺搜索 “致鈦”了解更多相關信息。

未來,長江存儲致鈦還將繼續豐富產品組合,不斷為消費者帶來“新意”,持續應用創新技術為科創時代下全球消費者打造更加便捷和智能的工作及生活環境。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續漏極電流:    20 A    

Rds On-漏源導通電阻:    7.6 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    3 V    

Qg-柵極電荷:    37 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

類型:   OptiMOS 3 Power-Transistor  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   39 S, 20 S  

下降時間:   5 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   40 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   20 ns  

典型接通延遲時間:   15 ns  

零件號別名:  BSZ76N6NS3GXT SP000454420 BSZ076N06NS3GATMA1  

單位重量:  76 mg

完整的收發器子系統包括自動和手動衰減控制,直流失調修正,正交誤差修正(QEC)和數字濾波,從而在數字基帶中不再需要這些功能.

收發器的中心頻率為75 MHz到 6000 MHz,全集成的用于功率放大器線性化的DPD自適應引擎, 波峰因子降低引擎,最大接收器帶寬200MHz,最大發送器大信號帶寬為200MHz,最大觀察接收器帶寬為450MHz,最大發送器合成器帶寬為450MHz。

主要用在3G/4G/5G TDD和FDD大規模多輸入多輸出(MIMO), 宏小區和小小區基站.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

致鈦木星10的順序讀取速度能夠達到530MB/s,傳輸速度同比傳統機械硬盤快至4倍。

與傳統的機械硬盤相比,致鈦木星10移動固態硬盤具有更高的安全性和可靠性。根據官方數據,木星10移動固態硬盤版本現已上架京東平臺,預售期間,下單即可享受10元抵50元的定金膨脹活動。關注致鈦的朋友們也可在京東、微信、微博等平臺搜索 “致鈦”了解更多相關信息。

未來,長江存儲致鈦還將繼續豐富產品組合,不斷為消費者帶來“新意”,持續應用創新技術為科創時代下全球消費者打造更加便捷和智能的工作及生活環境。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續漏極電流:    20 A    

Rds On-漏源導通電阻:    7.6 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    3 V    

Qg-柵極電荷:    37 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

類型:   OptiMOS 3 Power-Transistor  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   39 S, 20 S  

下降時間:   5 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   40 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   20 ns  

典型接通延遲時間:   15 ns  

零件號別名:  BSZ76N6NS3GXT SP000454420 BSZ076N06NS3GATMA1  

單位重量:  76 mg

完整的收發器子系統包括自動和手動衰減控制,直流失調修正,正交誤差修正(QEC)和數字濾波,從而在數字基帶中不再需要這些功能.

收發器的中心頻率為75 MHz到 6000 MHz,全集成的用于功率放大器線性化的DPD自適應引擎, 波峰因子降低引擎,最大接收器帶寬200MHz,最大發送器大信號帶寬為200MHz,最大觀察接收器帶寬為450MHz,最大發送器合成器帶寬為450MHz。

主要用在3G/4G/5G TDD和FDD大規模多輸入多輸出(MIMO), 宏小區和小小區基站.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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