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PWM邏輯和用來驅動外接FET的圖騰柱驅動器

發布時間:2021/4/9 13:29:32 訪問次數:500

UCC28810和UCC28811是中小功率通用LED照明電源控制器,具有功率因素修正(PFC)和EMC兼容特性.

UCC28810/1集成了用于反饋誤差處理的跨導電壓放大器,用來產生正比于輸入電壓的電流指令的電流基準發生器,電流檢測(PWM)比較器,PWM邏輯和用來驅動外接FET的圖騰柱驅動器.

此外,控制器還提供峰值電流限制,重起定時器,過壓保護(OVP)以及使能等. 

UCC28810和UCC28811廣泛用在交流輸入HB LED照明,工業,商業和住宅區照明以及戶外照明如路燈,停車場,建筑物和裝飾性LED照明等.

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.7 V    

Qg-柵極電荷:    10 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    46 W    

通道模式:    Enhancement    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   25 S  

下降時間:   2.6 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   2.9 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   14 ns  

典型接通延遲時間:   5 ns  

零件號別名:  BSZ065N06LS5 SP001385612  

單位重量:  36.460 mg  

四頻帶M/GPRS單電源功率放大器(PA)模塊采用了高阻抗集成的功率放大器(HIIPA)封裝和增強型GaAs芯片生產工藝來制造。

MMM5062 PA模塊采用HIIPA封裝方法來提供50-歐姆解決方案而不用增加外接元件。

50-歐姆匹配網絡阻抗是在芯片輸出端用電容和電感來實現,所用的電容是集成在芯片上,而電感則用不同長度的導線鍵合而成。

MMM5062四頻帶E-模式和HIIPA模塊是要用在2.5G手機。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

UCC28810和UCC28811是中小功率通用LED照明電源控制器,具有功率因素修正(PFC)和EMC兼容特性.

UCC28810/1集成了用于反饋誤差處理的跨導電壓放大器,用來產生正比于輸入電壓的電流指令的電流基準發生器,電流檢測(PWM)比較器,PWM邏輯和用來驅動外接FET的圖騰柱驅動器.

此外,控制器還提供峰值電流限制,重起定時器,過壓保護(OVP)以及使能等. 

UCC28810和UCC28811廣泛用在交流輸入HB LED照明,工業,商業和住宅區照明以及戶外照明如路燈,停車場,建筑物和裝飾性LED照明等.

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.7 V    

Qg-柵極電荷:    10 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    46 W    

通道模式:    Enhancement    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   25 S  

下降時間:   2.6 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   2.9 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   14 ns  

典型接通延遲時間:   5 ns  

零件號別名:  BSZ065N06LS5 SP001385612  

單位重量:  36.460 mg  

四頻帶M/GPRS單電源功率放大器(PA)模塊采用了高阻抗集成的功率放大器(HIIPA)封裝和增強型GaAs芯片生產工藝來制造。

MMM5062 PA模塊采用HIIPA封裝方法來提供50-歐姆解決方案而不用增加外接元件。

50-歐姆匹配網絡阻抗是在芯片輸出端用電容和電感來實現,所用的電容是集成在芯片上,而電感則用不同長度的導線鍵合而成。

MMM5062四頻帶E-模式和HIIPA模塊是要用在2.5G手機。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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