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每通道有8位效準DAC省去制造過程中用來效準外接電位計

發布時間:2023/6/23 22:24:40 訪問次數:63

UBA2021是高壓集成電路,能控制和驅動CFL熒光燈,包括有用來驅動外接半橋電路的驅動電路,振蕩器和用來起動,預熱, 輝弧和保護等功能.而采用UBA2021的13W CFL電子鎮流器采用半橋式逆變器作為燈驅動電路,逆變器的正常輸入電壓為230 V (RMS) ± 15 %, 50 Hz / 60 Hz.

因此,單盤片的存儲密度從4.7GB增加到27GB。27GB藍光盤格式目標應用在PC檔案數據存儲超密度光學(UDO)驅動和消費類數字視頻錄像機(DVR),能在120mm的DVD/CD盤片上記錄高達兩小時的高清晰度電視(HDTV)。

半橋逆變電路的電子鎮流器中,脈沖變壓器一般均采用環形磁心制作的變壓器,為能產生良好的振蕩波形,脈沖變壓器就需要選取磁滯曲線更接近矩形的材質,從而使變壓器在工作時可以在很快的進入與退出飽和狀態。

福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續漏極電流: 98 A

Rds On-漏源導通電阻: 4.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷: 27 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 27 S

下降時間: 6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 7 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 19 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

零件號別名: SP000917418 BSZ42N6NSXT BSZ042N06NSATMA1

單位重量: 100 mg

EL6900C有突出的性能和節省成本的優點。因為它有兩通道取樣保持放大器,在寄存器的控制下能編成四個單獨的增益,所以提供了片上的實時功率控制。

生產時間和制造成本進一步降低,因為每通道有8位的效準DAC,省去了在制造過程中用來效準的外接電位計。

因為磁心的B-H決定了磁環進入與退出飽和狀態的時間,所以,脈沖變壓器磁心與初級繞組的圈數及初級繞組的電壓對半橋逆變電路的工作頻率有著決定性的影響。

每一通道的210MHz時鐘速度能達到3X藍光盤寫入性能。閉環自動功率控制(APC)由EL6900C的Islope 和IAPC輸入實現。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


UBA2021是高壓集成電路,能控制和驅動CFL熒光燈,包括有用來驅動外接半橋電路的驅動電路,振蕩器和用來起動,預熱, 輝弧和保護等功能.而采用UBA2021的13W CFL電子鎮流器采用半橋式逆變器作為燈驅動電路,逆變器的正常輸入電壓為230 V (RMS) ± 15 %, 50 Hz / 60 Hz.

因此,單盤片的存儲密度從4.7GB增加到27GB。27GB藍光盤格式目標應用在PC檔案數據存儲超密度光學(UDO)驅動和消費類數字視頻錄像機(DVR),能在120mm的DVD/CD盤片上記錄高達兩小時的高清晰度電視(HDTV)。

半橋逆變電路的電子鎮流器中,脈沖變壓器一般均采用環形磁心制作的變壓器,為能產生良好的振蕩波形,脈沖變壓器就需要選取磁滯曲線更接近矩形的材質,從而使變壓器在工作時可以在很快的進入與退出飽和狀態。

福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續漏極電流: 98 A

Rds On-漏源導通電阻: 4.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷: 27 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 27 S

下降時間: 6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 7 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 19 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

零件號別名: SP000917418 BSZ42N6NSXT BSZ042N06NSATMA1

單位重量: 100 mg

EL6900C有突出的性能和節省成本的優點。因為它有兩通道取樣保持放大器,在寄存器的控制下能編成四個單獨的增益,所以提供了片上的實時功率控制。

生產時間和制造成本進一步降低,因為每通道有8位的效準DAC,省去了在制造過程中用來效準的外接電位計。

因為磁心的B-H決定了磁環進入與退出飽和狀態的時間,所以,脈沖變壓器磁心與初級繞組的圈數及初級繞組的電壓對半橋逆變電路的工作頻率有著決定性的影響。

每一通道的210MHz時鐘速度能達到3X藍光盤寫入性能。閉環自動功率控制(APC)由EL6900C的Islope 和IAPC輸入實現。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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