導通模式(CCM) PFC控制電路可編程(MTP)和OTA更新功能

發布時間:2021/4/14 22:27:11 訪問次數:444

高通5G移動參考設計提供的交鑰匙解決方案，旨在幫助智能手機OEM在旗艦及中端機型中實現低成本的無線快充，并具有多次可編程（MTP）和OTA更新功能，以簡化軟件開發與Qi認證流程。

瑞薩解決方案以超過85%的端到端系統效率提供超高集成度，有助于將無線充電技術的覆蓋范圍擴展至更廣泛的客戶群體，并簡化添加無線充電功能的流程。

新一代數字I/O單元，模塊化設計可自由延伸和拓展所需I/O數，無螺釘設計可降低安裝成本，并支持智能工廠中幾乎所有的現場應用。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續漏極電流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

長度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 46 S, 90 S

下降時間: 1.4 ns, 2.6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4.3 ns, 4.7 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延遲時間: 4.3 ns, 5.6 ns

零件號別名: BSG0811ND SP001075902

單位重量: 112.200 mg

通過加入升壓二極管，減少了散熱片的安裝，從而使設計更簡單，溫升性能更佳。

而且，將Qspeed二極管集成在IC內部可以將走線上的寄生電感最小化，進而在交流輸入發生浪涌的情況下具有更高的可靠性，功率開關在瞬態期間其兩端呈現的電壓尖峰最多可降低50V。

HiperPFS-4 IC可以在20%以上負載時實現大于0.95的功率因數。

當采用385VDC的恒壓母線供電時，集成的600V MOSFET能夠輕松滿足80％的降額要求。HiperPFS-4 IC將連續導通模式(CCM) PFC控制電路、升壓二極管和600V MOSFET集成在一個器件中。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）