91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 技術資料 » D S P

外設功能和藍牙驅動代碼無線特性評估實現高效電機控制

發布時間:2021/4/16 23:50:35 訪問次數:316

Smart Configurator幫助開發人員利用GUI生成用于外設功能和藍牙驅動代碼,并配置引腳設置。

QE for BLE則可幫助開發人員生成用于自定義藍牙配置文件的程序。藍牙測試工具套件提供GUI,允許開發人員執行初始無線特性評估和藍牙功能驗證。

這些工具適用于開發過程中各個環節,為開發人員帶來從初始階段到應用產品開發全面支持,顯著提高開發效率。

RX23W模塊可與瑞薩模擬和電源產品相結合,開發適用于各類應用的全面解決方案。

分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態

有源

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

20A(Ta),40A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)

3.5 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),69W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TSDSON-8

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)

56nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)

4400pF @ 15V

基本產品編號

BSZ035

RAJ306001和RAJ306010是單封裝電機控制IC,可控制廣泛應用于各類電池供電設備中的三相BLDC電機。全新IC將RL78/G1F微控制器(MCU)和前置驅動器集成至8mmx8mmQFN封裝中。

考慮到熱量管理,全新IC具備自校準死區時間(SADT)以防止直通擊穿,提供可調節前置驅動器輸出電流容量(高達500mA)以驅動大容量MOSFET,從而使散熱設計更簡單。

這使得IC可在最佳開關時序驅動MOSFET——與傳統系統相比,將FET開關裕量時間縮短至約1/10,減少發熱,從而實現高效電機驅動控制。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

Smart Configurator幫助開發人員利用GUI生成用于外設功能和藍牙驅動代碼,并配置引腳設置。

QE for BLE則可幫助開發人員生成用于自定義藍牙配置文件的程序。藍牙測試工具套件提供GUI,允許開發人員執行初始無線特性評估和藍牙功能驗證。

這些工具適用于開發過程中各個環節,為開發人員帶來從初始階段到應用產品開發全面支持,顯著提高開發效率。

RX23W模塊可與瑞薩模擬和電源產品相結合,開發適用于各類應用的全面解決方案。

分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態

有源

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

20A(Ta),40A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)

3.5 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),69W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TSDSON-8

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)

56nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)

4400pF @ 15V

基本產品編號

BSZ035

RAJ306001和RAJ306010是單封裝電機控制IC,可控制廣泛應用于各類電池供電設備中的三相BLDC電機。全新IC將RL78/G1F微控制器(MCU)和前置驅動器集成至8mmx8mmQFN封裝中。

考慮到熱量管理,全新IC具備自校準死區時間(SADT)以防止直通擊穿,提供可調節前置驅動器輸出電流容量(高達500mA)以驅動大容量MOSFET,從而使散熱設計更簡單。

這使得IC可在最佳開關時序驅動MOSFET——與傳統系統相比,將FET開關裕量時間縮短至約1/10,減少發熱,從而實現高效電機驅動控制。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

熱門點擊

 

推薦技術資料

業余條件下PCM2702
    PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細]
版權所有:51dzw.COM
深圳服務熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網安備44030402000607
深圳市碧威特網絡技術有限公司
付款方式


 復制成功!
玛纳斯县| 济南市| 贵阳市| 横峰县| 双峰县| 绥阳县| 兴义市| 台前县| 平湖市| 乡宁县| 买车| 拉孜县| 洛阳市| 广德县| 阿拉善盟| 武冈市| 哈巴河县| 辽源市| 南岸区| 河西区| 唐河县| 仁布县| 黔南| 棋牌| 垣曲县| 建瓯市| 宁晋县| 碌曲县| 礼泉县| 抚州市| 亳州市| 沁水县| 离岛区| 淮阳县| 木里| 绵竹市| 吴桥县| 囊谦县| 腾冲县| 巴里| 高阳县|