全新的 i7090 多核并行測試系統。這是一全新的自動測試設備，專門設計用于對多種印刷電路板（PCBA）進行并行測試，可以實現高測試吞吐量，幫助客戶加速產品推向市場并降低測試成本。

是德科技是一家領先的技術公司，致力于幫助企業、服務提供商和政府客戶加速創新，創造一個安全互聯的世界。

通過集成實時診斷、數字阻抗表和實時負載電流監視器，HFDA801A還可用于安全相關的必須符合ASIL要求的音頻應用，例如，電動汽車低速提示音系統 (AVAS)。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導通電阻:    2.2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    35 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    48 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   55 S  

下降時間:   3.6 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   5.2 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   21 ns  

典型接通延遲時間:   4.2 ns  

零件號別名:  BSC92NSXT SP000800246 BSC0902NSATMA1  

單位重量:  118.180 mg

高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數字類型還是模擬類型，都不具備或只有有限的直接驅動功率MOSFET的能力。

因為功率MOSFET對柵極驅動電流有較高的要求，驅動芯片就相當于PWM開關控制芯片與功率MOSFET之間的橋梁，用來將開關信號電流和電壓放大，同時具備一定的故障隔離能力。

一旦確定了選用某種開關電源方案后，接下來就要選擇合適的驅動IC，而選好驅動芯片，就需要硬件工程師對電路特性有一定的了解。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）