超低內阻的高壓MOS產品需求，在常規TO-247封裝不能滿足的情況下，電源工程師往往會使用諸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝來代替。

這種超大封裝不僅不通用，且成本較高。

順應趨勢，維安經過多年的SJ-MOS技術研發創新，開發出行業內超低導通電阻產品——WMJ120N60CM，采用常規 TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS，導通電阻Rdson低至16.5mΩ，能夠有效提升電源功率密度，解決應用痛點。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導通電阻: 11.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 20 S

下降時間: 5 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 25 ns

典型接通延遲時間: 13 ns

零件號別名: BSZ084N08NS5 SP001227056

單位重量: 36.670 mg

NJW4210內置了與USB控制器聯動切換到與受電側設備對應的輸出電壓的功能，因此不需為每一個輸出電壓準備多個穩壓器，只需一個芯片即可覆蓋USB PD的供給電源。

USB PD 2.0 ver.1.2以后的供給電源規格概要PD功率～15W～27W～45W～60W～100W最大輸出電壓/電流5V/3A9V/3A15V/3A20V/3A20V/5A※※ 使用5A連接線時。

單芯片支持5V/9V/15V/20V輸出電壓，供電側設備的內部電源電壓是多種多樣的，為了對應USB PD的各個輸出電壓，有時會出現降壓、升壓混合的復雜電源構成。

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