高di/dt的電流在流經MOSFET及其板級回路時，寄生電感存在會導致驅動器的地電位相對于控制器地電位瞬間抬升，驅動器的輸入和地之間就相當于出現一個瞬間負壓。

在極端情況下，可能造成驅動器內部輸入ESD器件受損，驅動器出現失效。

出現輸入負壓的場景與對MOSFET進行電流采樣相關。為了實現更精確的控制，有時在功率MOSFET和大地之間會接一個采樣電阻，用這個采樣電阻來檢測流過MOSFET的電流，從而使控制器能快速做出響應。

分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態

有源

FET 類型

2 N 溝道（雙路降壓斬波器）

FET 功能

標準

漏源電壓（Vdss）

30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

15A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

17nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

1157pF @ 15V

功率 - 最大值

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

8-PowerTDFN

供應商器件封裝

PG-TISON-8

基本產品編號

BSC0925

ADuM7704的模擬輸入由高性能模擬調制器持續進行采樣，再轉換成單比特的數字輸出流，數據傳輸速率可達21MHz。

ADuM7704將高速互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術與單片變壓器技術相結合，可實現片內隔離，從而提供優異的性能。

其應用范圍包括分流電流監控、AC電機控制、電源和太陽能逆變器、風力發電機逆變器，以及用于取代模數轉換器和光隔離器。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）