級聯配置無需復雜的驅動電路，加快了產品上市速度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性能，為設計人員提供極大的靈活性。

鈦金級是80 PLUS®規格中最嚴苛的，滿載條件下要求達到>91%的效率（半載條件下>96%）。

對于2 kW及更高功率的服務器電源應用，使用傳統硅器件來實現這種性能水平，電路設計復雜而具有挑戰性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統成本。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 39 A

Rds On-漏源導通電阻: 10 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3M

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 25 S

下降時間: 5 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4.4 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 7 ns

典型接通延遲時間: 7.9 ns

零件號別名: SP000311516 BSC12N3MSGXT BSC120N03MSGATMA1

單位重量: 100 mg

MAX41473/MAX41474是290MHz到960MHz高性能低功耗 ASK/FSK接收器.

頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個基準(組合模式)的頻率特性得以組合. 8V19N850可通過引腳映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4線SPI接口進行配置.

設備時鐘域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而數字時鐘域(以太網和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.器件的核電源為3.3V,輸出電壓為3.3V,2.5V和1.8V.

采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封裝,工作溫度-40C 到 +105C.主要用于無線基礎設備5G無線電.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）