切換器配有錯誤處理、先進的錯誤報告等功能，以及帶有糾錯功能的端到端數據保護功能，這是可靠性、可用性與服務性(RAS)方面的關鍵功能。

先進的電源管理能力，代表這款切換器符合最嚴格的節能要求。

在熱插入埠未使用時，將維持在低功耗狀態。在滿載條件和80°C的接面溫度下，PI7C9X3G808GP 的功耗僅為2.9W。Diodes Incorporated的PI7C9X3G808GP采用196球BGA格式高效能覆晶封裝方式，尺寸為 15mmx15mm。

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產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續漏極電流: 55 A

Rds On-漏源導通電阻: 12.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 19 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 66 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 22 S

開發套件: EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 18 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 19 ns

典型接通延遲時間: 12 ns

零件號別名: BSC123N08NS3 G SP000443916

單位重量: 172 mg

芯片還包括低噪音放大器(LNA),全差分圖像抑制混合器,集成了壓控振蕩器(VCO)的片上鎖相環(PLL),接收信號強度指示器(RSSI)和數字解調器.

器件具有33dB校準圖相抑制,LNA輸入具有±2.5kV HBM ESD 保護和±4kV.

高達200kbps數據速率(NRZ),工作電壓1.8V-3.6V,工作溫度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引腳TQFN封裝.主要用在案家庭自動化和安全,建筑物接入控制,車庫門開啟(GDO),無鑰匙遙控器(RKE), 胎壓監測系統(TPMS)和餐廳傳呼機.