全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。

該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩定性和效率。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 39 A

Rds On-漏源導通電阻: 10 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3M

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 25 S

下降時間: 5 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4.4 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 7 ns

典型接通延遲時間: 7.9 ns

零件號別名: BSC120N03MS G SP000311516

單位重量: 605 mg

接收器具有極好的靈敏度,允許RF輸入時的輸入信號高達0dBm.

器件集成了IF濾波器,僅有幾個外接元件,具有低工作電流(9mA)和降功耗電流(10nA),非常適合于低成本和功耗敏感的應用.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）