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抗輻射加固的高精度14位1MSPS SAR 模數轉換器(ADC)

發布時間:2021/4/28 8:46:41 訪問次數:270

ISL73141SEH是抗輻射加固的高精度14位1MSPS SAR 模數轉換器(ADC),它的SNR為82.1dBFS,5V工作電壓時的功耗僅為60mW.3.3V電源時,ISL73141SEH工作750ksps時的功耗僅為28mW.

器件具有1Msps的吞吐量,沒有數據等待,有極好的線性度和動態精確度.

ISL73141SEH提供高速SPI兼容的串行接口,支持邏輯范圍從2.2V到3.6V,采用分離的數字I/O電源引腳.器件還提供單獨的降功耗引腳,把功耗降低到小于50μW.

模擬輸入信號范圍由外接基準電壓來確定.

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 16 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 31 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 29 S

下降時間: 6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 53 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 25 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: SP000416636 BSC19N15NS3GXT BSC190N15NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

利用AS585xB的柔性電路設計,圖像設備可由內部數據采集系統和基于AS585xB讀取IC(采購自第三方FPD制造商)的探測器組裝,從而簡化生產。

主要用在AC和無刷DC馬達驅動,高壓DC/DC轉換器和DC/AC逆變器,電感加熱諧振應用,UPS系統,焊接和太陽能.

AS5850B優化后的線掃描時間為20μs,但可以在低至15μs的速度下運行,這種高速度性能可提高自動化光學檢測設備的吞吐量。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

ISL73141SEH是抗輻射加固的高精度14位1MSPS SAR 模數轉換器(ADC),它的SNR為82.1dBFS,5V工作電壓時的功耗僅為60mW.3.3V電源時,ISL73141SEH工作750ksps時的功耗僅為28mW.

器件具有1Msps的吞吐量,沒有數據等待,有極好的線性度和動態精確度.

ISL73141SEH提供高速SPI兼容的串行接口,支持邏輯范圍從2.2V到3.6V,采用分離的數字I/O電源引腳.器件還提供單獨的降功耗引腳,把功耗降低到小于50μW.

模擬輸入信號范圍由外接基準電壓來確定.

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 16 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 31 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 29 S

下降時間: 6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 53 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 25 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: SP000416636 BSC19N15NS3GXT BSC190N15NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

利用AS585xB的柔性電路設計,圖像設備可由內部數據采集系統和基于AS585xB讀取IC(采購自第三方FPD制造商)的探測器組裝,從而簡化生產。

主要用在AC和無刷DC馬達驅動,高壓DC/DC轉換器和DC/AC逆變器,電感加熱諧振應用,UPS系統,焊接和太陽能.

AS5850B優化后的線掃描時間為20μs,但可以在低至15μs的速度下運行,這種高速度性能可提高自動化光學檢測設備的吞吐量。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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