PI7C9X3G808GP 藉由這項 CDEP 功能支持扇出與雙主機連接。

內建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數量，有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業界獨一無二的產品。

可以使用三種參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。

切換器中嵌入了多個直接內存訪問 (DMA) 通道，盡量提高單一主機 (或多部主機) 與相連的端點之間通訊作業效率。

漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續漏極電流:170 mA Rds On-漏源導通電阻:6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV Qg-柵極電荷:2.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 長度:2.9 mm 產品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 類型:FET 寬度:1.3 mm 商標:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨導 - 最小值:0.8 S 下降時間:9 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:9 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:17 ns 典型接通延遲時間:1.7 ns 零件號別名:BSS123_NL 單位重量:30 mg

檢測到發熱后，當達到通常溫度時會自動恢復原來的電阻值，能反復使用。 

在室溫（25℃）下電阻值為540Ω，在檢測溫度115℃下電阻值為4.7kΩ。Arm®的SAMRH71微處理器（MPU）獲得認證，SAMRH707單片機（MCU）。

這兩款產品均采用了基于Arm Cortex®-M7的片上系統（SoC）抗輻射技術。

Microchip 的 SAMRH71 和 SAMRH707 器件在歐洲航天局（ESA）和法國航天局國家空間研究（CNES）的支持下開發，用于進一步開展研究和航天任務。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）