ITU-T G.8262和G.8262.1標準用于增強型同步以太網/OTN
發布時間:2021/4/29 21:55:37 訪問次數:1023
切換器配有錯誤處理、先進的錯誤報告等功能，以及帶有糾錯功能的端到端數據保護功能，這是可靠性、可用性與服務性 (RAS) 方面的關鍵功能。
先進的電源管理能力，代表這款切換器符合最嚴格的節能要求。在熱插入埠未使用時，將維持在低功耗狀態。在滿載條件和 80°C 的接面溫度下，PI7C9X3G808GP 的功耗僅為 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式，尺寸為 15mm x 15mm。
制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-
抖動低至64fs（典型值）RMS
600mW低功耗
采用24和28引腳，4mm x 4mm QFN封裝
具有四個差分輸出的單、雙輸入選項
電源噪聲抑制優于-80dB
輸出到輸出隔離為-80dBc
符合ITU-T G.8262和G.8262.1標準，用于增強型同步以太網/OTN
集成晶體選件，可節省更多空間
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
切換器配有錯誤處理、先進的錯誤報告等功能，以及帶有糾錯功能的端到端數據保護功能，這是可靠性、可用性與服務性 (RAS) 方面的關鍵功能。
先進的電源管理能力，代表這款切換器符合最嚴格的節能要求。在熱插入埠未使用時，將維持在低功耗狀態。在滿載條件和 80°C 的接面溫度下，PI7C9X3G808GP 的功耗僅為 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式，尺寸為 15mm x 15mm。
制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-
抖動低至64fs（典型值）RMS
600mW低功耗
采用24和28引腳，4mm x 4mm QFN封裝
具有四個差分輸出的單、雙輸入選項
電源噪聲抑制優于-80dB
輸出到輸出隔離為-80dBc
符合ITU-T G.8262和G.8262.1標準，用于增強型同步以太網/OTN
集成晶體選件，可節省更多空間
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