Arm Cortex®-M7核的消費類電子交叉處理器,工作速率高達600MHz,提供高CPU性能和最好的實時響應.該處理器具有1MB片上RAM,其中的512KB可靈活配置成TCM或通用片上RAM,而其它的512KB是通用片上RAM.

i.MX RT1060集成了先進功率管理模塊和DC/DC轉換器和LDO,降低了復雜外接電源,簡化了加電次序.器件還提供了各種存儲器接口,包括SDRAM, RAW NAND FLASH, NORFLASH, SD/eMMC, Quad SPI和各種其它用于連接外設的接口如WLAN, 藍牙™, GPS, 顯示器和照相機傳感器.

分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態

有源

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

15A（Ta），50A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

6.7 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 35μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），69W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TDSON-8-5

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

60V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

67nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

5100pF @ 30V

基本產品編號

BSC067

非侵入式，電隔離、非接觸式電流測量

可配置用于讀出多個霍爾陣列的高精度線性電流感測或差分無核和雜散場魯棒電流感測

符合ISO 26262 ASIL-B標準并通過AEC-Q100認證

CUR 4000傳感器擴大了其Micronas霍爾效應傳感器產品系列。該傳感器旨在為汽車和工業應用開發高精度電流測量技術，提供非侵入式、電隔離、非接觸式電流感測。

這些特征將有助于混合動力和電動汽車（xEV）高壓系統的未來發展。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）