一種基于輕質AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業應用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。

此項高溫芯片和模塊技術平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統（電機、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應成本大幅降低，并實現最佳能源效率。

CISSOID的IPM技術平臺可迅速適應新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉換器的設計，從而實現了高效率和高功率密度。

制造商:Rectron 產品種類:穩壓二極管 Vz - 齊納電壓:22 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 電壓溫度系數:20 mV/C Zz - 齊納阻抗:55 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 封裝:Reel 高度:1.1 mm 長度:3.05 mm 寬度:1.4 mm 商標:Rectron Ir - 反向電流 :0.1 uA 產品類型:Zener Diodes 工廠包裝數量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:900 mV

CISSOID 實現了功率模塊和柵極驅動器的整體融合設計，且可通過仔細調整dv/dt去實現控制，通過快速切換所固有的電壓過沖來優化IPM，從而將開關能量損耗降至最低。

該模塊的安全運行區域（RBSOA）允許直流總線電壓高達880V、峰值電流高達600A，從而使得800V電池電壓系統的應用是絕對安全的。

CISSOID提供的高溫芯片和模塊技術，已在石油鉆探等領域內的長期應用中得到了充分的驗證，可以滿足業內最苛刻的應用需求。