兩個Sitara吉比特TSN使能的PRU-ICSSG和多達兩個Arm Cortex-A53核,多達4個Cortex-R5F MCU和一個Cortex-M4F MCU.

AM64x系列的架構通過高性能的R5F,緊密耦合的存儲器組,配置SRAM分割和專用的低等待來回外設通路以便數據在SoC中迅速傳輸,從而提供業界最好的實時性能.

這種架構使得AM64x能處理在伺服驅動所遇到的緊密控制回路,而外設如FSI, GPMC, PWM, Sigma Delta抽取濾波器,絕對編碼器接口則有助于這些系統中所采用的不同的架構.

制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續漏極電流:130 mA Rds On-漏源導通電阻:10 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:1.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:360 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 長度:2.9 mm 產品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 商標:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨導 - 最小值:0.6 S 下降時間:6.3 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:6.3 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:10 ns 典型接通延遲時間:2.5 ns 零件號別名:BSS84_NL 單位重量:31 mg

它的處理特性包括高達39K邏輯單元,56個18x18乘法器,2.9Mb嵌入存儲器(由EBR和LRAM區塊組成),分布式存儲器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高達1066 Mbpsx16數據寬).

器件支持高達1.8V VCCIO,混合電壓支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高達1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太網)-1.25Gbps時兩路(Tx/Rx).

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）