衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm 256通道的電荷數字轉換器
發布時間:2021/5/4 23:27:29 訪問次數:145
片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
器件具有高度線性度,整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
AS5850A讀取IC的補充，擴展了艾邁斯半導體獨特的醫學和工業圖像傳感解決方案組合，這些解決方案能夠提供出色精度、高采集速度、低噪聲和超低功耗。
制造商:Micron Technology產品種類:NAND閃存RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-48系列:存儲容量:4 Gbit接口類型:Parallel組織:512 M x 8定時類型:Asynchronous數據總線寬度:8 bit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V電源電流—最大值:35 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel存儲類型:NAND產品:NAND Flash類型:No Boot Block商標:Micron有源讀取電流（最大值）:35 mA濕度敏感性:Yes產品類型:NAND Flash標準:Not Supported1000子類別:Memory & Data Storage單位重量:110 mg
新型AS585xB數字讀取IC是16位、256通道的電荷數字轉換器，因極低的噪聲而聞名，適用于靜態和動態數字X射線掃描儀、數字放射顯影、乳腺X射線、熒光檢查、介入成像以及工業無損檢測（NDT）系統，可以生成清晰、詳細的圖像。
主要用在寬帶系統包括無線基礎設備數字和擴頻通信系統, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛星地面調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動增益控制(ALC),發送器增益控制,接收器增益控制和通用測試設備.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
器件具有高度線性度,整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
AS5850A讀取IC的補充，擴展了艾邁斯半導體獨特的醫學和工業圖像傳感解決方案組合，這些解決方案能夠提供出色精度、高采集速度、低噪聲和超低功耗。
制造商:Micron Technology產品種類:NAND閃存RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-48系列:存儲容量:4 Gbit接口類型:Parallel組織:512 M x 8定時類型:Asynchronous數據總線寬度:8 bit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V電源電流—最大值:35 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel存儲類型:NAND產品:NAND Flash類型:No Boot Block商標:Micron有源讀取電流（最大值）:35 mA濕度敏感性:Yes產品類型:NAND Flash標準:Not Supported1000子類別:Memory & Data Storage單位重量:110 mg
新型AS585xB數字讀取IC是16位、256通道的電荷數字轉換器，因極低的噪聲而聞名，適用于靜態和動態數字X射線掃描儀、數字放射顯影、乳腺X射線、熒光檢查、介入成像以及工業無損檢測（NDT）系統，可以生成清晰、詳細的圖像。
主要用在寬帶系統包括無線基礎設備數字和擴頻通信系統, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛星地面調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動增益控制(ALC),發送器增益控制,接收器增益控制和通用測試設備.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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