STi2GaN延續了ST長期以來在復合材料和智能功率產品創新方面的成功經驗，主要應用包括汽車以及需要高密度、高可靠性和高功率的電源。

率先推出的STi2GaN解決方案組合適用于車載充電器、自動駕駛激光雷達(LiDAR)、雙向直流-直流(DC-DC)轉換器、D類放大器和電源變換系統。

新系列產品旨在利用GaN技術的高功率密度和高能效，為市場提供一系列獨一無二的可擴展、緊湊、高性能的100V和650V產品。

制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-363-6 晶體管極性:N-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續漏極電流:200 mA Rds On-漏源導通電阻:3.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:200 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1 mm 長度:2.2 mm 產品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:2 N-Channel 寬度:1.35 mm 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:100 mS 產品類型:MOSFET 3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:20 ns 典型接通延遲時間:20 ns 單位重量:6 mg

而且整體系統成本更低。此外，氮化鎵場效應晶體管的卓越效率和散熱性能實現空氣冷卻而不是水冷卻，而且小型化的氮化鎵場效應晶體管大大減少鋁片所散出的熱量，從而進一步節省系統成本。

EPC9137演示板最能體現氮化鎵場效應晶體管的優越性能，可增加頻率和提高效率，從而縮小電感的尺寸、減少相位和提高功率密度。