集成式快速開關50 A IGBT的關斷性能優于純硅解決方案，可與MOSFET媲美。

較之常規的碳化硅MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現95％至97％的系統效率。

此外，CoolSiC肖特基二極管有助于降低導通和恢復損耗。相比純硅設計而言，該器件是實現硬換向的理想器件，損耗可降低30%。

由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統成本，帶來極佳的性價比優勢。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 67 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 38 S

下降時間: 7 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 26 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 37 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: BSC67N6LS3GXT SP000451084 BSC067N06LS3GATMA1

單位重量: 100 mg

功率模塊含有功率MOSFET和先進的驅動IC。為提高能效，器件內部MOSFET采用先進的TrenchFET® Gen IV技術，這一技術確立行業性能基準，顯著降低開關和傳導損耗。

SiC8xx智能功率模塊各種應用條件下峰值能效可達93 %以上。輕載時可啟用二極管仿真模式，提高全負載范圍的效率。

對于應用產品來說，這些優勢不僅有助于節省空間，而且還可以通過高密度安裝高亮度LED來提高設計靈活性和視認性，并有助于減少開發工時。

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