RSL10傳感器開發套件完整的節點到云的方案
發布時間:2021/5/20 13:13:03 訪問次數:173
RSL10智能拍攝相機平臺和RSL10傳感器開發套件已預集成在Bosch IoTSuite 中,該套件是博世集團 (Bosch Group)的物聯網 (IoT) 核心軟件平臺和核心軟件生態系統。
RSL10 智能拍攝相機平臺和RSL10傳感器開發套件是完整的節點到云的方案,含先進的藍牙低功耗聯接和傳感技術。
RSL10 智能拍攝相機平臺專為事件觸發式成像而設計,結合低功耗圖像捕獲功能和對基于云的人工智能(AI)分析的支持。
制造商:MaxLinear 產品種類:低壓差穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 輸出電壓:5 V 輸出電流:500 mA 輸出端數量:1 Output 極性:Positive 靜態電流:50 nA 最大輸入電壓:16 V 最小輸入電壓:2.5 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 回動電壓:340 mV 系列: 封裝:Reel 高度:1.15 mm 長度:2.9 mm 產品:LDO Voltage Regulators 容差:1 % 類型:Low Noise LDO Voltage Regulator 寬度:1.6 mm 商標:MaxLinear 回動電壓—最大值:550 mV 輸出電壓范圍:- PSRR/紋波抑制—典型值:70 dB 電壓調節準確度:1 % Ib - 輸入偏流:- 線路調整率:0.04 %/V 負載調節:0.05 % 產品類型:LDO Voltage Regulators 參考電壓:1.235 V 3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:6.300 mg
11 kW SiC雙向DC/DC轉換器是采用1200VIMZ120R030M1H和1700V CoolSiC™ MOSFET1EDC20I12AH,具有雙向功率流動和軟開關特性,非常適合用于電動汽車車載和離車充電以及能量存儲系統(ESS)應用.參考設計提供了完整和全特性硬件和固件解決方案以及用戶友好的圖像用戶接口(GUI).
CoolSiC™ MOSFET和集成的Infineon驅動器集成電路,XMC控制器,反激控制器,電壓穩壓器MOSFET,電流傳感器,Cypress存儲器以及安全芯片.
參考設計外形尺寸為33.1 mm x 13.4 mm x 6 mm,功率密度為4.1 W/cm3 (5.5 W/g).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
RSL10智能拍攝相機平臺和RSL10傳感器開發套件已預集成在Bosch IoTSuite 中,該套件是博世集團 (Bosch Group)的物聯網 (IoT) 核心軟件平臺和核心軟件生態系統。
RSL10 智能拍攝相機平臺和RSL10傳感器開發套件是完整的節點到云的方案,含先進的藍牙低功耗聯接和傳感技術。
RSL10 智能拍攝相機平臺專為事件觸發式成像而設計,結合低功耗圖像捕獲功能和對基于云的人工智能(AI)分析的支持。
制造商:MaxLinear 產品種類:低壓差穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 輸出電壓:5 V 輸出電流:500 mA 輸出端數量:1 Output 極性:Positive 靜態電流:50 nA 最大輸入電壓:16 V 最小輸入電壓:2.5 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 回動電壓:340 mV 系列: 封裝:Reel 高度:1.15 mm 長度:2.9 mm 產品:LDO Voltage Regulators 容差:1 % 類型:Low Noise LDO Voltage Regulator 寬度:1.6 mm 商標:MaxLinear 回動電壓—最大值:550 mV 輸出電壓范圍:- PSRR/紋波抑制—典型值:70 dB 電壓調節準確度:1 % Ib - 輸入偏流:- 線路調整率:0.04 %/V 負載調節:0.05 % 產品類型:LDO Voltage Regulators 參考電壓:1.235 V 3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:6.300 mg
11 kW SiC雙向DC/DC轉換器是采用1200VIMZ120R030M1H和1700V CoolSiC™ MOSFET1EDC20I12AH,具有雙向功率流動和軟開關特性,非常適合用于電動汽車車載和離車充電以及能量存儲系統(ESS)應用.參考設計提供了完整和全特性硬件和固件解決方案以及用戶友好的圖像用戶接口(GUI).
CoolSiC™ MOSFET和集成的Infineon驅動器集成電路,XMC控制器,反激控制器,電壓穩壓器MOSFET,電流傳感器,Cypress存儲器以及安全芯片.
參考設計外形尺寸為33.1 mm x 13.4 mm x 6 mm,功率密度為4.1 W/cm3 (5.5 W/g).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)