內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV智能柔性封裝低電壓封裝
發布時間:2021/5/21 13:16:43 訪問次數:169
集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。
為達到175℃的通道溫度,該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。
因此，可以充分提取音源的信息量，對于欣賞古典音樂來說很重要的“空間音效”、“規模感”及“靜謐性”等音質性能得到更出色的表現。
制造商:Texas Instruments 產品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 參考類型:Shunt Precision References 輸出電壓:2.49 V 初始準確度:4 % 溫度系數:20 PPM/C 分流電流—最大值:10 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 系列: 封裝:Tube 準確性:10 mV 描述/功能:VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 長度:4.9 mm 產品:Voltage References 寬度:3.9 mm 商標:Texas Instruments 分流電流—最小值:400 uA 拓撲結構:Shunt References 負載調節:10 mV 產品類型:Voltage References 95 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:143 mg
“MUS-IC™”系列的性能獲得了客戶高度評價，并且正在被越來越多的客戶用在高音質音響設備中。
憑借ROHM自有的音質設計技術，在決定音質的關鍵—信號處理電路設計過程中，采用邊確認音質邊設計電路的方式，成功地實現了目標音質。
每瓦304MB/s的順序寫入性能表現中，與前代產品相比，能效比提高了61％.
SACD/CD播放器“D-10X”中，為這款播放器實現理想的音質效果發揮了顯著作用。在開發階段就給予“BD34301EKV”很高的評價,性能和音質“在每個頻段上都可以體現平穩、自然且可以長時間聽的聲音”。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。
為達到175℃的通道溫度,該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。
因此，可以充分提取音源的信息量，對于欣賞古典音樂來說很重要的“空間音效”、“規模感”及“靜謐性”等音質性能得到更出色的表現。
制造商:Texas Instruments 產品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 參考類型:Shunt Precision References 輸出電壓:2.49 V 初始準確度:4 % 溫度系數:20 PPM/C 分流電流—最大值:10 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 系列: 封裝:Tube 準確性:10 mV 描述/功能:VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 長度:4.9 mm 產品:Voltage References 寬度:3.9 mm 商標:Texas Instruments 分流電流—最小值:400 uA 拓撲結構:Shunt References 負載調節:10 mV 產品類型:Voltage References 95 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:143 mg
“MUS-IC™”系列的性能獲得了客戶高度評價，并且正在被越來越多的客戶用在高音質音響設備中。
憑借ROHM自有的音質設計技術，在決定音質的關鍵—信號處理電路設計過程中，采用邊確認音質邊設計電路的方式，成功地實現了目標音質。
每瓦304MB/s的順序寫入性能表現中，與前代產品相比，能效比提高了61％.
SACD/CD播放器“D-10X”中，為這款播放器實現理想的音質效果發揮了顯著作用。在開發階段就給予“BD34301EKV”很高的評價,性能和音質“在每個頻段上都可以體現平穩、自然且可以長時間聽的聲音”。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
