PM9A3 U.2搭載了支持PCIe 4.0技術的的全新控制器和三星第六代3D閃存（V-NAND）技術，并通過固件優化實現了200K IOPS的穩態隨機寫入性能，同比上一代產品PM983 U.2提升了4倍。

對中國運營數據中心的科技企業而言，隨機寫入速度尤為重要，相信PM9A3U.2出色的表現，能很好地滿足這些客戶的需求。

另外，PM9A3 U.2的4K穩態隨機讀取性能為1100K IOPS，順序讀取速度為6900MB/s，相對上一代產品PM983 U.2分別提升2.2倍和2.16倍。

制造商:Samsung Electro-Mechanics 產品種類:多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 終端:Standard 電容:2.2 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 電介質:X5R 容差:10 % 外殼代碼 - in:0805 外殼代碼 - mm:2012 高度:1.35 mm 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 85 C 產品:General Type MLCCs 端接類型:SMD/SMT 系列:CL 長度:2 mm 封裝 / 箱體:0805 (2012 metric) 類型:Multilayer Ceramic Capacitor 寬度:1.25 mm 商標:Samsung Electro-Mechanics 電容-nF:2200 nF 類:Class 2 產品類型:Ceramic Capacitors 工廠包裝數量:2000 子類別:Capacitors 零件號別名:CL21A225KAFNNN 單位重量:6.400 mg

每瓦304MB/s的順序寫入性能表現中，與前代產品相比，能效比提高了61％。PM9A3 U.2是三星首個采用第六代3D閃存（V-NAND）技術并支持 PCIe4.0的NVMe固態硬盤產品.

符合中國數據中心客戶運營所需的特定性能和功耗配置，我們期待著它成為中國數據中心客戶的極佳解決方案。

從量產PM9A3 U.2開始，三星半導體將繼續加強與全球數據中心客戶合作，不斷推進新一代存儲技術的發展和標準化，以迎接全面開放的5G時代和不斷變化的生活方式。

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