Trench 9汽車級晶圓工藝技術通過輸入和溫度的并行處理路徑
發布時間:2021/5/22 8:49:19 訪問次數:371
在半橋結構中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會產生大量的寄生電感。
這種封裝形式使用靈活的引腳來提高整體可靠性，并且MOSFET之間采用內部銅夾連接，簡化了PCB設計并帶來了即插即用式解決方案，電流處理能力達到98A，表現非常出色。
LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產品都采用高度耐用的Trench 9汽車級晶圓工藝技術，額定電壓為40 V，并在關鍵測試中通過了兩倍汽車AEC-Q101規范的驗證。
制造商:Texas Instruments 產品種類:LED照明驅動器 RoHS:N 通道數量:10 Channel 輸出電流:30 mA 輸入電壓:3 V to 20 V 電源電流—最大值:9200 uA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:MDIP-18 系列: 封裝:Tube 特點:Internal voltage reference, Programmable output current 高度:3.9 mm 長度:22.86 mm 工作溫度范圍:0 C to + 70 C 輸出類型:Current Mode 類型:Linear 寬度:6.35 mm 商標:Texas Instruments 拓撲結構:Buck Pd-功率耗散:1365 mW 產品類型:LED Lighting Drivers 20 子類別:Driver ICs 單位重量:1.329 g
通過輸入和溫度的并行處理路徑，A17700可實現當今市場上最低的芯片延遲。
這款超快速傳感器接口IC具有100 μs的輸入至輸出處理延遲，可使系統補償振蕩對膜的影響，而不會降低輸出分辨率，進一步提高了系統保真度。
A17700的快速響應時間可以加快輸出采樣速率，從而使系統能夠濾除不希望的膜振蕩信號。
A17700使系統設計人員可以根據具體要求輕松地選擇最適合的絕佳算法和I/O選項，能夠在精度和生產線末端測試時間之間達到最佳平衡，從而可以優化系統成本。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
在半橋結構中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會產生大量的寄生電感。
這種封裝形式使用靈活的引腳來提高整體可靠性，并且MOSFET之間采用內部銅夾連接，簡化了PCB設計并帶來了即插即用式解決方案，電流處理能力達到98A，表現非常出色。
LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產品都采用高度耐用的Trench 9汽車級晶圓工藝技術，額定電壓為40 V，并在關鍵測試中通過了兩倍汽車AEC-Q101規范的驗證。
制造商:Texas Instruments 產品種類:LED照明驅動器 RoHS:N 通道數量:10 Channel 輸出電流:30 mA 輸入電壓:3 V to 20 V 電源電流—最大值:9200 uA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:MDIP-18 系列: 封裝:Tube 特點:Internal voltage reference, Programmable output current 高度:3.9 mm 長度:22.86 mm 工作溫度范圍:0 C to + 70 C 輸出類型:Current Mode 類型:Linear 寬度:6.35 mm 商標:Texas Instruments 拓撲結構:Buck Pd-功率耗散:1365 mW 產品類型:LED Lighting Drivers 20 子類別:Driver ICs 單位重量:1.329 g
通過輸入和溫度的并行處理路徑，A17700可實現當今市場上最低的芯片延遲。
這款超快速傳感器接口IC具有100 μs的輸入至輸出處理延遲，可使系統補償振蕩對膜的影響，而不會降低輸出分辨率，進一步提高了系統保真度。
A17700的快速響應時間可以加快輸出采樣速率，從而使系統能夠濾除不希望的膜振蕩信號。
A17700使系統設計人員可以根據具體要求輕松地選擇最適合的絕佳算法和I/O選項，能夠在精度和生產線末端測試時間之間達到最佳平衡，從而可以優化系統成本。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
