新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。

NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝，具有市場最低的Rdson (12 mOhm)。 

這技術還優化能量損失品質因數，從而優化了汽車和工業應用中的性能。

內置門極電阻 (Rg)為設計人員提供更大的靈活性，而無需使用外部門極電阻人為地降低器件的速度。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 達林頓晶體管

RoHS: 詳細信息

配置: Array 7

晶體管極性: NPN

集電極—發射極最大電壓 VCEO: 50 V

最大集電極截止電流: 100 uA

Pd-功率耗散: 950 mW

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-16

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: ULQ2003A-Q1

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

工作溫度范圍: - 40 C to + 125 C

商標: Texas Instruments

集電極連續電流: 500 mA

產品類型: Darlington Transistors

工廠包裝數量: 2500

子類別: Transistors

單位重量: 173 mg

該電感器預期將用于NFC電路的LC濾波器。

穩壓輸出、自然對流冷卻的AC-DC電源LCS系列，該系列非常適合注重預算的應用。

四個新系列（LCS35、LCS50、LCS75和LCS100）分別提供35W、50W、75W和100W的功率水平，并符合B級傳導和輻射標準，便于低成本的系統集成，同時集成了連接器蓋，以提高安裝后的安全性。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）