“BD9G500EFJ-LA”適用于48V電源系統，具有業內超高的80V耐壓，同時由于其內置MOSFET，可實現同類產品中高達5A的輸出電流，且支持大功率，從而有助于5G通信基站和充電樁等設備實現更高可靠性和性能。

“BD9F500QUZ”則適用于24V電源系統,采用小型薄型封裝（3.0mm×3.0mm×0.4mm）,雖然小巧卻實現了39V的耐壓和5A的輸出電流，有助于以FA設備為首的眾多先進工業設備實現更高性能和更小體積。

通過節省安裝面積和削減部件數量，有助于應用產品降低成本并更加小型化,非常適用于24V電源系統的“BD9F500QUZ”.

制造商:IXYS 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-264-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:150 V Id-連續漏極電流:400 A Rds On-漏源導通電阻:3.1 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V Qg-柵極電荷:430 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:1.5 kW 通道模式:Enhancement 商標名:HiPerFET 配置:Single 系列:X4-Class 商標:IXYS 下降時間:8 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:22 ns 工廠包裝數量:1 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:180 ns 典型接通延遲時間:40 ns 單位重量:10 g

HoriZone RA開發套件，該套件旨在為需要安全通信的邊緣到云的物聯網（IoT）應用程序提供概念驗證設計。

該套件采用瑞薩電子RA系列微控制器，用于安全的IoT端點和邊緣設備，該套件為連接到基于Microsoft Azure云的Avnet IoTConnect平臺的資源受限嵌入式系統（RCES）提供安全功能。

作為多傳感器解決方案，Avnet開發套件具有可擴展性，并提供了從概念驗證，項目設計到部署（包括所有必需的構建模塊）的理想途徑。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）