LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感
發布時間:2021/5/31 7:52:59 訪問次數:327
在半橋結構中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會產生大量的寄生電感。但是，通過內部夾式連接，LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感。
LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產品都采用高度耐用的Trench 9汽車級晶圓工藝技術，額定電壓為40 V，并在關鍵測試中通過了兩倍汽車AEC-Q101規范的驗證。
這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700使系統設計人員可以根據具體要求輕松地選擇最適合的絕佳算法和I/O選項，能夠在精度和生產線末端測試時間之間達到最佳平衡，從而可以優化系統成本。
A17700占位面積小，集成有靈活的補償技術，是當今電動和混合動力汽車等空間和效率至關重要應用的理想解決方案。
器件有過壓保護和輸出電壓順序以及熱保護,對LNM器件可同步到外部時鐘.主要用在24V總線工業電源系統,24V電池供電設備,傳感器和常開的應用,分散智能節點以及低噪音應用.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
在半橋結構中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會產生大量的寄生電感。但是，通過內部夾式連接，LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感。
LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產品都采用高度耐用的Trench 9汽車級晶圓工藝技術，額定電壓為40 V，并在關鍵測試中通過了兩倍汽車AEC-Q101規范的驗證。
這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700使系統設計人員可以根據具體要求輕松地選擇最適合的絕佳算法和I/O選項，能夠在精度和生產線末端測試時間之間達到最佳平衡，從而可以優化系統成本。
A17700占位面積小，集成有靈活的補償技術，是當今電動和混合動力汽車等空間和效率至關重要應用的理想解決方案。
器件有過壓保護和輸出電壓順序以及熱保護,對LNM器件可同步到外部時鐘.主要用在24V總線工業電源系統,24V電池供電設備,傳感器和常開的應用,分散智能節點以及低噪音應用.
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