頻率信息從DPLL-0到DPLL-1磁感應強度做出線性響應
發布時間:2021/6/1 8:54:39 訪問次數:815
芯片還包括低噪音放大器(LNA),全差分圖像抑制混合器,集成了壓控振蕩器(VCO)的片上鎖相環(PLL),接收信號強度指示器(RSSI)和數字解調器.
器件具有33dB校準圖相抑制,LNA輸入具有±2.5kV HBM ESD 保護和±4kV.高達200kbps數據速率(NRZ),工作電壓1.8V-3.6V,工作溫度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引腳TQFN封裝.
主要用在案家庭自動化和安全,建筑物接入控制,車庫門開啟(GDO),無鑰匙遙控器(RKE), 胎壓監測系統(TPMS)和餐廳傳呼機.
SiC技術應用：
用于太陽能和風能的DC / AC轉換器中的高效逆變器
電動和混合動力汽車的功率轉換器
工業設備和空調的功率逆變器
X射線發生器的高壓開關
薄膜鍍膜工藝
羅姆碳化硅產品
頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個基準(組合模式)的頻率特性得以組合.
8V19N850可通過引腳映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4線SPI接口進行配置.設備時鐘域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而數字時鐘域(以太網和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.
器件的核電源為3.3V,輸出電壓為3.3V,2.5V和1.8V.采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封裝,工作溫度-40C 到 +105C.主要用于無線基礎設備5G無線電.
四個獨立發射器使用直接變頻調制器,可在低功耗下實現低噪聲運行.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
芯片還包括低噪音放大器(LNA),全差分圖像抑制混合器,集成了壓控振蕩器(VCO)的片上鎖相環(PLL),接收信號強度指示器(RSSI)和數字解調器.
器件具有33dB校準圖相抑制,LNA輸入具有±2.5kV HBM ESD 保護和±4kV.高達200kbps數據速率(NRZ),工作電壓1.8V-3.6V,工作溫度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引腳TQFN封裝.
主要用在案家庭自動化和安全,建筑物接入控制,車庫門開啟(GDO),無鑰匙遙控器(RKE), 胎壓監測系統(TPMS)和餐廳傳呼機.
SiC技術應用：
用于太陽能和風能的DC / AC轉換器中的高效逆變器
電動和混合動力汽車的功率轉換器
工業設備和空調的功率逆變器
X射線發生器的高壓開關
薄膜鍍膜工藝
羅姆碳化硅產品
頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個基準(組合模式)的頻率特性得以組合.
8V19N850可通過引腳映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4線SPI接口進行配置.設備時鐘域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而數字時鐘域(以太網和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.
器件的核電源為3.3V,輸出電壓為3.3V,2.5V和1.8V.采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封裝,工作溫度-40C 到 +105C.主要用于無線基礎設備5G無線電.
四個獨立發射器使用直接變頻調制器,可在低功耗下實現低噪聲運行.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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