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高效率IGBT驅動器NCV57000DWR2G和圖騰柱拓撲

發布時間:2021/6/1 9:01:35 訪問次數:803

NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.

和硅器件相比,SiC MOSFET具有優越的開關性能和更高的可靠性.更低的開態(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.

因此,SiC MOSFET系統具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統尺寸.

6.6 kW車載充電器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB參考設計采用NVHL060N090SC1器件,單片高邊和低邊柵極驅動器FAN7191 F085,650V N溝功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔離大電流和高效率IGBT驅動器NCV57000DWR2G和圖騰柱拓撲,系統效率高達97%.

制造商:Panasonic 產品種類:鋁質電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:2.2 uF 電壓額定值 DC:50 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:5 mm 長度:5.5 mm 高度:5.4 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:16 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標:Panasonic 電容-nF:2200 nF 產品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:400 mg

集成式獨立小數N分頻射頻頻率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V穩壓器供電.采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.

主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.

Midnite太陽能公司在其新的太陽能產品系列中納入了ROHM的60mΩ RDS(on)SiC器件和較新的30mΩ RDS(on)產品。他預計可靠性會非常好,因為設計運行酷似。

驅動部件將很簡單,因為ROHM也提供柵極驅動器。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.

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因此,SiC MOSFET系統具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統尺寸.

6.6 kW車載充電器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB參考設計采用NVHL060N090SC1器件,單片高邊和低邊柵極驅動器FAN7191 F085,650V N溝功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔離大電流和高效率IGBT驅動器NCV57000DWR2G和圖騰柱拓撲,系統效率高達97%.

制造商:Panasonic 產品種類:鋁質電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:2.2 uF 電壓額定值 DC:50 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:5 mm 長度:5.5 mm 高度:5.4 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:16 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標:Panasonic 電容-nF:2200 nF 產品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:400 mg

集成式獨立小數N分頻射頻頻率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V穩壓器供電.采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.

主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.

Midnite太陽能公司在其新的太陽能產品系列中納入了ROHM的60mΩ RDS(on)SiC器件和較新的30mΩ RDS(on)產品。他預計可靠性會非常好,因為設計運行酷似。

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(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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